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APM4461KC-TR

更新时间： 2025-07-27 21:53:47

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茂达 - ANPEC		/
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9页	570K
描述
P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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APM4461KC-TR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.92	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A	最大漏极电流 (ID)：	6 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)

APM4461KC-TR 数据手册

APM4461

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Pin Description

•

-20V/-7A, R_DS(ON)= 25mΩ(typ.) @ V_GS= -10V

R_DS(ON)= 35mΩ(typ.) @ V_GS= -4.5V

R_DS(ON)= 55mΩ(typ.) @ V_GS= -2.5V

•

Super High Density Cell Design

Reliable and Rugged

SOP-8 Package

SO − 8

S S

Applications

•

Power Management in Notebook Computer,

Portable Equipment and Battery Powered

Systems

D D D D

P-Channel MOSFET

Ordering and Marking Information

APM 4461

P ackage C ode

K : S O -8

O peration Junction Tem p. R ange

C : -55 to 150 C

H andling C ode

Tem p. R ange

P ackage C ode

TR : Tape & R eel

A P M 4461

X X X X X

A P M 4461 K

X X X X X - D ate C ode

Absolute Maximum Ratings (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Symbol

V_DSS

Parameter

Rating

-20

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GSS

±20

-7

I_D

Maximum Drain Current – Continuous

* Surface Mounted on FR4 Board, t 10 sec.

≤

ANPEC reserves the right to make changes to improve reliability or manufacturability without notice, and advise

customers to obtain the latest version of relevant information to verify before placing orders.

www.anpec.com.tw

Rev. A.2 - May., 2003

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