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APM2601CC-TR

更新时间： 2024-01-18 15:36:20

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茂达 - ANPEC		/
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9页	603K
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P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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APM2601CC-TR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.69
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

APM2601CC-TR 数据手册

APM2601

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Pin Description

• -20V/-3A , R_DS(ON)=80mΩ(typ.) @ V_GS=-4.5V

R_DS(ON)=110mΩ(typ.) @ V_GS=-2.5V

•

Super High Dense Cell Design for Extremely

Low R_DS(ON)

•

Reliable and Rugged

Top View of SOT-23-6

SOT-23-6 Package

Applications

•

Power Management in Notebook Computer ,

Portable Equipment and Battery Powered

Systems.

D D D D

Ordering and Marking Information

P-Channel MOSFET

APM2601

Package Code

C : SOT-23-6

Operation Junction Temp. Range

Handling Code

Tem p. Range

Package Code

C : -55 to 150 C

Handling Code

TR : Tape & Reel

X - Date Code

APM 2601 C :

M 01X

Absolute Maximum Ratings (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Symbol

V_DSS

Parameter

Rating

-20

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GSS

±8

I_D

Maximum Drain Current – Continuous

Maximum Drain Current – Pulsed

-3

I_DM

-10

* Surface Mounted on FR4 Board, t 10 sec.

≤

ANPEC reserves the right to make changes to improve reliability or manufacturability without notice, and advise

customers to obtain the latest version of relevant information to verify before placing orders.

www.anpec.com.tw

Rev. A.1 - Jun., 2003

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