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APM2607CC-TR

更新时间： 2024-02-17 12:19:56

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茂达 - ANPEC		/
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9页	600K
描述
P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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APM2607CC-TR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES

APM2607CC-TR 数据手册

APM2607

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Pin Description

•

-30V/-3A , R_DS(ON)=100mΩ(typ.) @ V_GS=-10V

_DS(ON)=140mΩ(typ.) @ V_GS=-4.5V

Super High Dense Cell Design for Extremely

Low R_DS(ON)

•

Reliable and Rugged

Top View of SOT-23-6

SOT-23-6 Package

Applications

•

Power Management in Notebook Computer ,

Portable Equipment and Battery Powered

Systems.

D D D D

Ordering and Marking Information

P-Channel MOSFET

APM2607

Package Code

C : SOT-23-6

Operation Junction Temp. Range

Handling Code

Tem p. Range

Package Code

C : -55 to 150 C

Handling Code

TR : Tape & Reel

X - Date Code

APM 2607 C :

M 07X

Absolute Maximum Ratings (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Symbol

V_DSS

Parameter

Rating

-30

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GSS

±20

-3

I_D

Maximum Drain Current – Continuous

Maximum Drain Current – Pulsed

I_DM

-12

* Surface Mounted on FR4 Board, t 10 sec.

≤

ANPEC reserves the right to make changes to improve reliability or manufacturability without notice, and advise

customers to obtain the latest version of relevant information to verify before placing orders.

www.anpec.com.tw

Rev. A.1 - Jun., 2003

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