AP40N03S

更新时间： 2024-02-28 05:46:06

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富鼎先进 - A-POWER		/
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6页	81K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP40N03S 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.68	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	40 A
最大漏源导通电阻：	0.017 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	169 A
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP40N03S 数据手册

AP40N03S

100

125

150

100

150

T _c, Case Temperature ( ^oC)

T _c,Case Temperature ( ^oC)

Fig 5. Maximum Drain Current v.s.

Case Temperature

Fig 6. Typical Power Dissipation

1000

100

DUTY=0.5

0.2

10us

0.1

100us

1ms

0.05

P_DM

0.02

SINGLE PULSE

0.01

T _c=25 ^oC

10ms

Duty factor = t/T

Peak T_j= P_DMx R_thjc+ T_C

Single Pulse

100ms

0.01

0.00001

100

0.0001

0.001

0.01

0.1

V _DS(V)

t , Pulse Width (s)

Fig 7. Maximum Safe Operating Area

Fig 8. Effective Transient Thermal Impedance

1 2 345 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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