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AP2R803GMT-HF

更新时间： 2024-11-30 12:26:35
品牌 Logo 应用领域
富鼎先进 - A-POWER 驱动
页数 文件大小 规格书
4页 65K
描述
Simple Drive Requirement, SO-8 Compatible

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AP2R803GMT-HF 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.66雪崩能效等级（Eas）：45 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：105 A最大漏源导通电阻：0.0042 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F8
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

AP2R803GMT-HF 数据手册

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AP2R803GMT-HF  
Halogen-Free Product  
Advanced Power  
Electronics Corp.  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOSFET  
▼ Simple Drive Requirement  
BVDSS  
RDS(ON)  
ID  
30V  
3mΩ  
105A  
D
S
▼ SO-8 Compatible  
▼ Low On-resistance  
G
▼ RoHS Compliant & Halogen-Free  
D
D
D
D
Description  
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.  
S
The PMPAK® 5x6 package is special for DC-DC converters application  
and the foot print is compatible with SO-8 with backside heat sink.  
S
S
G
PMPAK® 5x6  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Rating  
30  
Units  
V
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
+20  
V
Continuous Drain Current (Chip), VGS @ 10V  
Continuous Drain Current3, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current3, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current1  
ID@TC=25℃  
ID@TA=25℃  
ID@TA=70℃  
IDM  
105  
A
33  
A
26.5  
240  
A
A
PD@TC=25℃  
PD@TA=25℃  
EAS  
Total Power Dissipation  
50  
W
W
mJ  
℃
℃
Total Power Dissipation  
5
Single Pulse Avalanche Energy4  
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature Range  
45  
TSTG  
-55 to 150  
-55 to 150  
TJ  
Thermal Data  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
℃/W  
℃/W  
Rthj-c  
Maximum Thermal Resistance, Junction-case  
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient3  
2.5  
25  
Rthj-a  
Data & specifications subject to change without notice  
1
201103021  
1234

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与AP2R803GMT-HF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AP2R803GS-HF A-POWER

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 		TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
AP2RA04GMT-HF A-POWER

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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP2S ABRACON

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 		SURFACE-MOUNT CMOS PROGRAMMABLE OSCILLATOR
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