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AP22T03GH-HF

更新时间： 2024-02-23 02:24:01

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富鼎先进 - A-POWER		晶体栅极晶体管功率场效应晶体管开关脉冲驱动
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4页	99K
描述
Lower Gate Charge Simple Drive Requirement

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AP22T03GH-HF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.75
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	15.6 A	最大漏源导通电阻：	0.033 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	50 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP22T03GH-HF 数据手册

AP22T03GH-HF

f=1.0MHz

500

400

300

200

100

I _D=8A

V _DS=24V

C _iss

C _oss

C _rss

V _DS,Drain-to-Source Voltage (V)

Q _G, Total Gate Charge (nC)

Fig 7. Gate Charge Characteristics

Fig 8. Typical Capacitance Characteristics

100

Duty factor = 0.5

Operation in this area

limited by R

DS(ON)

0.2

100us

0.1

0.05

P_DM

0.02

1ms

10ms

100ms

0.01

Single Pulse

Duty factor = t/T

T _C=25 ^oC

Peak T_j= PDM x R_thjc+ T_c

Single Pulse

0.01

0.00001

0.1

100

0.0001

0.001

0.01

0.1

t , Pulse Width (s)

V _DS,Drain-to-Source Voltage (V)

Fig 9. Maximum Safe Operating Area

Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance

V_G

V_DS

90%

Q_G

4.5V

Q_GD

Q_GS

10%

V_GS

t_d(on)t_r

_d(off)t_f

Charge

Fig 11. Switching Time Waveform

Fig 12. Gate Charge Waveform

1 2 34

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