AP1A4M

更新时间： 2024-11-22 22:39:11

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日电电子 - NEC		晶体晶体管
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6页	86K
描述
on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor

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AP1A4M 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.88	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.7 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP1A4M 数据手册

DATA SHEET

COMPOUND TRANSISTOR

AP1 SERIES

on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor

For mid-speed switching

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

FEATURES

•

Current drive available up to 0.7 A

On-chip bias resistor

Low power consumption during drive

AP1 SERIES LISTS

R¹(KΩ)

−

R²(KΩ)

Products

AP1A4A

AP1L2Q

AP1A3M

AP1F3P

AP1J3P

AP1L3N

AP1A4M

0.47

1.0

4.7

1.0

Electrode Connection

1. Emitter

2. Collector JEDEC: TO-92

3. Base IEC : PA33

EIAJ : SC-43B

2.2

3.3

4.7

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

Parameter

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (Pulse)

Base current (DC)

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C(DC)

I^C(pulse)*

I^B(DC)

P^T

Ratings

−25

Unit

−25

−10

−0.7

−1.0

−0.02

750

Total power dissipation

Junction temperature

°C

T^j

150

−55 to +150

Storage temperature

T^stg

* PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50 %

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D16171EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AP1A4M-AZ	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
AP1A563MR450K52CE0	HWE	获取价格	大型铝电
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