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AM45DL6408G70FT

更新时间： 2024-01-22 20:58:51
品牌 Logo 应用领域
飞索 - SPANSION 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
65页 1101K
描述
Memory Circuit, 4MX16, CMOS, PBGA73, 8 X 11.60 MM, FBGA-73

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AM45DL6408G70FT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：LFBGA,
针数：73Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.33
其他特性：PSEUDO SRAM IS ORGANISED AS 1M X 8 OR 512K X 16; FLASH CAN ALSO BE ORGANISED AS 8M X 8JESD-30 代码：R-PBGA-B73
JESD-609代码：e1长度：11.6 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT
内存宽度：16湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：73
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：4MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.4 mm最大供电电压 (Vsup)：3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：8 mm

AM45DL6408G70FT 数据手册

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P R E L I M I N A R Y  
FLASH ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE  
Parameter  
Typ (Note 1) Max (Note 2)  
Unit  
sec  
sec  
µs  
Comments  
Sector Erase Time  
0.4  
56  
5
5
Excludes 00h programming  
prior to erasure (Note 4)  
Chip Erase Time  
Byte Program Time  
Accelerated Byte/Word Program Time  
Word Program Time  
150  
120  
210  
126  
84  
4
µs  
Excludes system level  
overhead (Note 5)  
7
µs  
Byte Mode  
Word Mode  
42  
28  
Chip Program Time  
(Note 3)  
sec  
Notes:  
1. Typical program and erase times assume the following conditions: 25°C, 3.0 V VCC, 1,000,000 cycles. Additionally,  
programming typicals assume checkerboard pattern.  
2. Under worst case conditions of 90°C, VCC = 2.7 V, 1,000,000 cycles.  
3. The typical chip programming time is considerably less than the maximum chip programming time listed, since most bytes  
program faster than the maximum program times listed.  
4. In the pre-programming step of the Embedded Erase algorithm, all bytes are programmed to 00h before erasure.  
5. System-level overhead is the time required to execute the two- or four-bus-cycle sequence for the program command. See Table  
14 for further information on command definitions.  
6. The device has a minimum erase and program cycle endurance of 1,000,000 cycles.  
LATCHUP CHARACTERISTICS  
Description  
Min  
Max  
Input voltage with respect to VSS on all pins except I/O pins  
(including A9, OE#, and RESET#)  
–1.0 V  
12.5 V  
Input voltage with respect to VSS on all I/O pins  
–1.0 V  
VCC + 1.0 V  
+100 mA  
V
CC Current  
–100 mA  
Note: Includes all pins except VCC. Test conditions: VCC = 3.0 V, one pin at a time.  
PACKAGE PIN CAPACITANCE  
Parameter  
Symbol  
Parameter Description  
Input Capacitance  
Test Setup  
VIN = 0  
Typ  
11  
Max  
14  
Unit  
pF  
CIN  
COUT  
CIN2  
Output Capacitance  
VOUT = 0  
VIN = 0  
12  
14  
17  
16  
pF  
Control Pin Capacitance  
WP#/ACC Pin Capacitance  
16  
pF  
CIN3  
VIN = 0  
20  
pF  
Notes:  
1. Sampled, not 100% tested.  
2. Test conditions TA = 25°C, f = 1.0 MHz.  
FLASH DATA RETENTION  
Parameter Description  
Test Conditions  
150°C  
Min  
10  
Unit  
Years  
Years  
Minimum Pattern Data Retention Time  
125°C  
20  
May 13, 2003  
Am45DL6408G  
59  
1...57585960616263...65

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AM45DL6408G70IS SPANSION

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 		Memory Circuit, 4MX16, CMOS, PBGA73, 8 X 11.60 MM, FBGA-73
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AM45N06-16D ANALOGPOWER

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AM45W-8501515D-NST AIMTEC

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 		DC/DC Converter; Product Weight (grams): 520
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AM460(16DIP) AME

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 		Analog Circuit, PDIP16

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