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AM29F400BT-150FEB

更新时间： 2024-12-01 05:33:51

品牌	Logo	应用领域
超微 - AMD		闪存内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
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描述
4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory

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AM29F400BT-150FEB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	REVERSE, TSOP-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.14	最长访问时间：	150 ns
备用内存宽度：	16	启动块：	TOP
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,7	端子数量：	48
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	512KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1-R	封装等效代码：	TSSOP48,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	反向引出线：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	16K,8K,32K,64K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.06 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

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PRELIMINARY

Am29F400B

4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit)

CMOS 5.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory

DISTINCTIVE CHARACTERISTICS

■ Single power supply operation

■ Top or bottom boot block configurations

available

— 5.0 volt-only operation for read, erase, and

program operations

■ Embedded Algorithms

— Minimizes system level requirements

— Embedded Erase algorithm automatically

preprograms and erases the entire chip or any

combination of designated sectors

■ Manufactured on 0.35 µm process technology

— Compatible with 0.5 µm Am29F400 device

— Embedded Program algorithm automatically

writes and verifies data at specified addresses

■ High performance

— Access times as fast as 55 ns

■ Minimum 1,000,000 program/erase cycles per

■ Low power consumption (typical values at 5

sector guaranteed

MHz)

■ Package option

— 48-pin TSOP

— 44-pin SO

— 1 µA standby mode current

— 20 mA read current (byte mode)

— 28 mA read current (word mode)

— 30 mA program/erase current

■ Compatibility with JEDEC standards

— Pinout and software compatible with single-

power-supply Flash

■ Flexible sector architecture

— One 16 Kbyte, two 8 Kbyte, one 32 Kbyte, and

seven 64 Kbyte sectors (byte mode)

— Superior inadvertent write protection

■ Data# Polling and toggle bits

— One 8 Kword, two 4 Kword, one 16 Kword, and

seven 32 Kword sectors (word mode)

— Provides a software method of detecting

program or erase operation completion

— Supports full chip erase

■ Ready/Busy# pin (RY/BY#)

— Sector Protection features:

— Provides a hardware method of detecting

program or erase cycle completion

A hardware method of locking a sector to

prevent any program or erase operations within

that sector

■ Erase Suspend/Erase Resume

Sectors can be locked via programming

equipment

— Suspends an erase operation to read data from,

or program data to, a sector that is not being

erased, then resumes the erase operation

Temporary Sector Unprotect feature allows code

changes in previously locked sectors

■ Hardware reset pin (RESET#)

— Hardware method to reset the device to reading

array data

Publication# 21505 Rev: C Amendment/+2

Issue Date: April 1998

12 3 4 5 6 7...37

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