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AM29F100B-120EE

更新时间： 2024-11-30 22:56:35
品牌 Logo 应用领域
超微 - AMD 闪存内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
36页 423K
描述
1 Megabit (128 K x 8-bit/64 K x 16-bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory

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AM29F100B-120EE 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：SOP, TSSOP48,.8,20
针数：48Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A001.A.2.CHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.9最长访问时间：120 ns
其他特性：100K PROGRAM/ERASE CYCLES MIN ;CAN BE CONFG AS 64K X 16; BOTTOM BOOT BLOCK备用内存宽度：8
启动块：BOTTOM命令用户界面：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PDSO-G48
JESD-609代码：e0内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1部门数/规模：1,2,1,1
端子数量：48字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：128KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：TSSOP48,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES部门规模：16K,8K,32K,64K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.06 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES类型：NOR TYPE

AM29F100B-120EE 数据手册

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FINAL  
Am29F100  
1 Megabit (128 K x 8-bit/64 K x 16-bit)  
CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory  
DISTINCTIVE CHARACTERISTICS  
■ Single power supply operation  
■ Embedded Algorithms  
— 5.0 V ± 10% for read, erase, and program  
— Embedded Erase algorithm automatically  
pre-programs and erases the chip or any  
combination of designated sector  
operations  
— Simplifies system-level power requirements  
— Embedded Program algorithm automatically  
programs and verifies data at specified address  
■ High performance  
— 70 ns maximum access time  
■ Minimum 100,000 program/erase cycles  
■ Low power consumption  
guaranteed  
— 20 mA typical active read current for byte mode  
— 28 mA typical active read current for word mode  
— 30 mA typical program/erase current  
— 25 µA typical standby current  
■ Package options  
— 44-pin SO  
— 48-pin TSOP  
■ Compatible with JEDEC standards  
■ Flexible sector architecture  
— Pinout and software compatible with  
single-power-supply flash  
— One 16 Kbyte, two 8 Kbyte, one 32 Kbyte, and  
one 64 Kbyte sectors (byte mode)  
— Superior inadvertent write protection  
— One 8 Kword, two 4 Kword, one 16 Kword, and  
one 32 Kword sectors (word mode)  
■ Data# Polling and Toggle Bits  
— Provides a software method of detecting  
program or erase cycle completion  
— Any combination of sectors can be erased  
— Supports full chip erase  
■ Ready/Busy pin (RY/BY#)  
■ Top or bottom boot block configurations  
— Provides a hardware method for detecting  
program or erase cycle completion  
available  
■ Sector protection  
■ Erase Suspend/Erase Resume  
— Hardware-based feature that disables/re-  
enables program and erase operations in any  
combination of sectors  
— Suspends an erase operation to read data from,  
or program data to, a sector that is not being  
erased, then resumes the erase operation  
— Sector protection/unprotection can be  
implemented using standard PROM  
programming equipment  
■ Hardware RESET# pin  
— Hardware method of resetting the device to  
reading array data  
— Temporary Sector Unprotect feature allows in-  
system code changes in protected sectors  
Publication# 18926 Rev: C Amendment/+2  
Issue Date: March 1998  
1234567...36

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与AM29F100B-120EE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AM29F100B-120EEB AMD

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 		1 Megabit (128 K x 8-bit/64 K x 16-bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
AM29F100B-120EI AMD

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 		1 Megabit (128 K x 8-bit/64 K x 16-bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
AM29F100B-120EIB AMD

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AM29F100B-120FC AMD

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