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AM29F080B-90EC

更新时间： 2024-09-19 23:00:31

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超微 - AMD		内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
37页	426K
描述
8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory

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AM29F080B-90EC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1, TSSOP40,.8,20
针数：	40	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.19	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	90 ns	其他特性：	MINIMUM 1000K PROGRAM/ERASE CYCLE ;20 YEAR DATA RETENTION
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
数据保留时间-最小值：	20	JESD-30 代码：	R-PDSO-G40
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	16	端子数量：	40
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP40,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	10 mm	Base Number Matches：	1

AM29F080B-90EC 数据手册

PRELIMINARY

Am29F080B

8 Megabit (1 M x 8-Bit)

CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory

DISTINCTIVE CHARACTERISTICS

■ 5.0 V ± 10%, single power supply operation

■ Minimum 1,000,000 program/erase cycles per

sector guaranteed

■ Package options

— 40-pin TSOP

— Minimizes system level power requirements

■ Manufactured on 0.35 µm process technology

— Compatible with 0.5 µm Am29F080 device

— 44-pin SO

■ High performance

■ Compatible with JEDEC standards

— Access times as fast as 70 ns

— Pinout and software compatible with

single-power-supply Flash standard

■ Low power consumption

— 25 mA typical active read current

— 30 mA typical program/erase current

— Superior inadvertent write protection

■ Data# Polling and toggle bits

— 1 µA typical standby current (standard access

time to active mode)

— Provides a software method of detecting

program or erase cycle completion

■ Flexible sector architecture

— 16 uniform sectors of 64 Kbytes each

— Any combination of sectors can be erased.

— Supports full chip erase

■ Ready/Busy# output (RY/BY#)

— Provides a hardware method for detecting

program or erase cycle completion

■ Erase Suspend/Erase Resume

— Group sector protection:

— Suspends a sector erase operation to read data

from, or program data to, a non-erasing sector,

then resumes the erase operation

A hardware method of locking sector groups to

prevent any program or erase operations within

that sector group

■ Hardware reset pin (RESET#)

Temporary Sector Group Unprotect allows code

changes in previously locked sectors

— Resets internal state machine to the read mode

■ Embedded Algorithms

— Embedded Erase algorithm automatically

preprograms and erases the entire chip or any

combination of designated sectors

— Embedded Program algorithm automatically

writes and verifies bytes at specified addresses

Publication# 21503 Rev: C Amendment/+1

Issue Date: April 1998

12 3 4 5 6 7...37

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