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AM29F040B-70JI

更新时间： 2024-11-23 05:26:31
品牌 Logo 应用领域
超微 - AMD 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
35页 762K
描述
4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory

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AM29F040B-70JI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：LCC包装说明：QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数：32Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.29最长访问时间：70 ns
其他特性：MINIMUM 1000K PROGRAM/ERASE CYCLE ;20 YEAR DATA RETENTION命令用户界面：YES
数据轮询：YES数据保留时间-最小值：20
耐久性：1000000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PQCC-J32
JESD-609代码：e0长度：13.97 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1部门数/规模：8
端子数量：32字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QCCJ
封装等效代码：LDCC32,.5X.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.556 mm部门规模：64K
最大待机电流：0.000005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.04 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：11.43 mm

AM29F040B-70JI 数据手册

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Am29F040B  
4 Megabit (512 K x 8-Bit)  
CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory  
DISTINCTIVE CHARACTERISTICS  
■ 5.0 V ± 10% for read and write operations  
■ Embedded Algorithms  
— Minimizes system level power requirements  
— Embedded Erase algorithm automatically  
preprograms and erases the entire chip or any  
combination of designated sectors  
■ Manufactured on 0.32 µm process technology  
— Compatible with 0.5 µm Am29F040 device  
— Embedded Program algorithm automatically  
writes and verifies bytes at specified addresses  
■ High performance  
— Access times as fast as 55 ns  
■ Minimum 1,000,000 program/erase cycles per  
sector guaranteed  
■ Low power consumption  
■ 20-year data retention at 125°C  
— Reliable operation for the life of the system  
■ Package options  
— 20 mA typical active read current  
— 30 mA typical program/erase current  
— 1 µA typical standby current (standard access  
time to active mode)  
— 32-pin PLCC, TSOP, or PDIP  
■ Flexible sector architecture  
— 8 uniform sectors of 64 Kbytes each  
— Any combination of sectors can be erased  
— Supports full chip erase  
■ Compatible with JEDEC standards  
— Pinout and software compatible with  
single-power-supply Flash standard  
— Superior inadvertent write protection  
— Sector protection:  
■ Data# Polling and toggle bits  
A hardware method of locking sectors to prevent  
any program or erase operations within that sector  
— Provides a software method of detecting  
program or erase cycle completion  
■ Erase Suspend/Erase Resume  
— Suspends a sector erase operation to read data  
from, or program data to, a non-erasing sector,  
then resumes the erase operation  
Publication# 21445 Rev: E Amendment/0  
Issue Date: November 29, 2000  
This Data Sheet states AMD’s current technical specifications regarding the Products described herein. This Data  
Sheet may be revised by subsequent versions or modifications due to changes in technical specifications.  
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AM29F040B-70JI 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AM29F040B-70JK SPANSION

功能相似

 Flash, 512KX8, 70ns, PQCC32, LEAD FREE, PLASTIC, MO-052AE, LCC-32
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 		4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F040B-70JK AMD

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 		4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F040B-70JK SPANSION

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 		Flash, 512KX8, 70ns, PQCC32, LEAD FREE, PLASTIC, MO-052AE, LCC-32
AM29F040B-70JKB SPANSION

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 		Flash, 512KX8, 70ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
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 		4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
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