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AM29DL642G90I

更新时间： 2024-02-05 14:58:21

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超微 - AMD		/
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54页	832K
描述
128 Megabit (8 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Simultaneous Read/Write Flash Memo

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AM29DL642G90I 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	10.95 X 11.95 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-63
针数：	63	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.81	最长访问时间：	90 ns
启动块：	BOTTOM/TOP	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-PBGA-B63	JESD-609代码：	e0
长度：	11.95 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	FLASH MODULE	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
部门数/规模：	16,126	端子数量：	63
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	8MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装等效代码：	BGA63,8X12,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	3/3.3 V
编程电压：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.4 mm
部门规模：	4K,32K	最大待机电流：	0.00001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	10.95 mm

AM29DL642G90I 数据手册

P R E L I M I N A R Y

PRODUCT SELECTOR GUIDE

Part Number

Am29DL642G

Speed Rating

Regulated Voltage Range: V_CC= 2.7–3.6 V

Max Access Time (ns)

CE# Access Time (ns)

OE# Access Time (ns)

Note: See “AC Characteristics” for full specifications.

Am29DL642G

June 10, 2005

1...3 4 567 8 9...54

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
AM29DL642G90MDI	AMD	128 Megabit (8 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Simultaneous Read/Write Flash Memo	获取价格
AM29DL800B	AMD	8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Me	获取价格
AM29DL800B_06	AMD	8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Me	获取价格
AM29DL800B-100EC	SPANSION	Flash, 1MX8, 100ns, PDSO48, TSOP-48	获取价格
AM29DL800B-100ED	SPANSION	Flash, 1MX8, 100ns, PDSO48, TSOP-48	获取价格
AM29DL800B-100EF	SPANSION	Flash, 1MX8, 100ns, PDSO48, TSOP-48	获取价格