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AM29DL640H90WHIN

更新时间： 2024-02-07 09:00:08

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超微 - AMD		闪存
页数	文件大小	规格书
54页	881K
描述
64 Megabit (8 M x 8-Bit/4 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Read/Write Flash Memory

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AM29DL640H90WHIN 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.92
最长访问时间：	90 ns	备用内存宽度：	8
启动块：	BOTTOM/TOP	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-PBGA-B63	JESD-609代码：	e0
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
部门数/规模：	16,126	端子数量：	63
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	4MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA63,8X12,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
部门规模：	8K,64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.045 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	Base Number Matches：	1

AM29DL640H90WHIN 数据手册

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AC CHARACTERISTICS

555 for program

PA for program

2AA for erase

SA for sector erase

555 for chip erase

Data# Polling

Addresses

t_WC

t_WH

t_AS

t_AH

WE#

OE#

t_GHEL

t_{WHWH1 or 2}

t_CP

CE#

Data

t_WS

t_CPH

t_DS

t_BUSY

t_DH

DQ7#

D_OUT

t_RH

A0 for program

55 for erase

PD for program

30 for sector erase

10 for chip erase

RESET#

RY/BY#

Notes:

1. Figure indicates last two bus cycles of a program or erase operation.

2. PA = program address, SA = sector address, PD = program data.

3. DQ7# is the complement of the data written to the device. D_OUTis the data written to the device.

4. Waveforms are for the word mode.

Figure 27. Alternate CE# Controlled Write (Erase/Program) Operation Timings

February 9, 2005

Am29DL640H

1...46 47 484950 51 52...54

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