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AM29DL162DT120VRI

更新时间： 2024-01-20 16:01:46

品牌	Logo	应用领域
超微 - AMD		闪存内存集成电路
页数	文件大小	规格书
57页	1258K
描述
16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory

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AM29DL162DT120VRI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FBGA, BGA48,6X8,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最长访问时间：	120 ns
备用内存宽度：	8	启动块：	TOP
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e0	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
部门数/规模：	8,31	端子数量：	48
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA48,6X8,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
部门规模：	8K,64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.045 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	Base Number Matches：	1

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PRODUCT SELECTOR GUIDE

Part Number

Am29DL16xD

Speed Option

Standard Voltage Range: V_CC= 2.7–3.6 V

120

Max Access Time (ns)

CE# Access (ns)

OE# Access (ns)

BLOCK DIAGRAM

OE# BYTE#

Upper Bank Address

A0–A19

Upper Bank

X-Decoder

RY/BY#

A0–A19

RESET#

STATE

CONTROL

COMMAND

WE#

CE#

Status

DQ0–DQ15

BYTE#

Control

WP#/ACC

DQ0–DQ15

X-Decoder

Lower Bank

A0–A19

Lower Bank Address

OE# BYTE#

Am29DL16xD

May 26, 2004

1...3 4 567 8 9...57

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