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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | 8.15 X 6.15 MM, 0.80 MM PITCH, VBGA-48 | 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.91 |
| 最长访问时间： | 70 ns | 其他特性： | TOP BOOT BLOCK |
| 备用内存宽度： | 8 | 启动块： | TOP |
| 命令用户界面： | YES | 通用闪存接口： | YES |
| 数据轮询： | YES | JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 8.15 mm |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 部门数/规模： | 8,31 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 1MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | VFBGA | 封装等效代码： | BGA48,6X8,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 电源： | 3/3.3 V | 编程电压： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 就绪/忙碌： | YES |
| 座面最大高度： | 1 mm | 部门规模： | 8K,64K |
| 最大待机电流： | 0.000005 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.045 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 切换位： | YES | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 6.15 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| AM29DL162DT70WCF | AMD | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Mem |
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| AM29DL162DT70WCI | AMD | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Mem |
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| AM29DL162DT70WCIN | ETC | x8/x16 Flash EEPROM |
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| AM29DL162DT90 | AMD | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Mem |
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| AM29DL162DT90EF | AMD | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Mem |
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| AM29DL162DT90EF | SPANSION | Flash, 1MX16, 90ns, PDSO48, LEAD FREE, MO-142BDD, TSOP-48 |
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