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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FBGA, BGA48,6X8,32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 120 ns |
| 备用内存宽度： | 8 | 启动块： | TOP |
| 命令用户界面： | YES | 通用闪存接口： | YES |
| 数据轮询： | YES | JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 16 |
| 部门数/规模： | 8,31 | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 1MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | FBGA | 封装等效代码： | BGA48,6X8,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 3/3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 就绪/忙碌： | YES |
| 部门规模： | 8K,64K | 最大待机电流： | 0.000005 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.045 mA |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 切换位： | YES |
| 类型： | NOR TYPE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| AM29DL162DT120VRF | AMD | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Mem |
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| AM29DL162DT120VRI | AMD | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Mem |
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| AM29DL162DT120VRI | SPANSION | Flash, 1MX16, 120ns, PBGA48, 8.15 X 6.15 MM, 0.80 MM PITCH, VBGA-48 |
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| AM29DL162DT120WCE | ETC | x8/x16 Flash EEPROM |
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| AM29DL162DT120WCEN | ETC | x8/x16 Flash EEPROM |
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| AM29DL162DT120WCF | SPANSION | Flash, 1MX16, 120ns, PBGA48, 8 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-48 |
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