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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | WDIP, DIP32,.6 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.61 |
| 风险等级： | 5.6 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 45 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T32 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 42.1005 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | UVPROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | WDIP | 封装等效代码： | DIP32,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE, WINDOW |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.588 mm |
| 最大待机电流： | 0.025 A | 子类别： | EPROMs |
| 最大压摆率： | 0.05 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AM27H010-45DE | AMD |
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1 Megabit (131,072 x 8-bit) High Speed CMOS EPROM |
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| AM27H010-45DEB | AMD |
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1 Megabit (131,072 x 8-bit) High Speed CMOS EPROM |
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| AM27H010-45DI | AMD |
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1 Megabit (131,072 x 8-bit) High Speed CMOS EPROM |
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| AM27H010-45DIB | AMD |
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1 Megabit (131,072 x 8-bit) High Speed CMOS EPROM |
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| AM27H010-45LC | AMD |
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1 Megabit (131,072 x 8-bit) High Speed CMOS EPROM |
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| AM27H010-45LCB | AMD |
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1 Megabit (131,072 x 8-bit) High Speed CMOS EPROM |
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| AM27H010-45LE | AMD |
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1 Megabit (131,072 x 8-bit) High Speed CMOS EPROM |
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| AM27H010-45LEB | AMD |
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1 Megabit (131,072 x 8-bit) High Speed CMOS EPROM |
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| AM27H010-45LI | AMD |
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1 Megabit (131,072 x 8-bit) High Speed CMOS EPROM |
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| AM27H010-45LIB | AMD |
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1 Megabit (131,072 x 8-bit) High Speed CMOS EPROM |
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