是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP28,.6 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.61 |
风险等级: | 5.08 | 最长访问时间: | 250 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-CDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | UVPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 8KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP28,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 编程电压: | 12.75 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.0001 A |
子类别: | EPROMs | 最大压摆率: | 0.025 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
NTE2764 | NTE |
功能相似 |
Integrated Circuit NMOS, 64K Erasable EPROM, 200ns |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AM27C64-255DCB | AMD |
获取价格 |
64 Kilobit (8 K x 8-Bit) CMOS EPROM | |
AM27C64-255DCB | SPANSION |
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UVPROM, 8KX8, 250ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 | |
AM27C64-255DE | AMD |
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64 Kilobit (8 K x 8-Bit) CMOS EPROM | |
AM27C64-255DEB | AMD |
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64 Kilobit (8 K x 8-Bit) CMOS EPROM | |
AM27C64-255DI | AMD |
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64 Kilobit (8 K x 8-Bit) CMOS EPROM | |
AM27C64-255DI | SPANSION |
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UVPROM, 8KX8, 250ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 | |
AM27C64-255DIB | AMD |
获取价格 |
64 Kilobit (8 K x 8-Bit) CMOS EPROM | |
AM27C64-255DIB | SPANSION |
获取价格 |
UVPROM, 8KX8, 250ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 | |
AM27C64-255JC | AMD |
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64 Kilobit (8 K x 8-Bit) CMOS EPROM | |
AM27C64-255JC | SPANSION |
获取价格 |
OTP ROM, 8KX8, 250ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |