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AM27C010-45DC5B

更新时间： 2024-01-10 21:36:16
品牌 Logo 应用领域
飞索 - SPANSION 可编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
12页 178K
描述
UVPROM, 128KX8, 45ns, CMOS, CDIP32, CERAMIC, DIP-32

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AM27C010-45DC5B 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：WDIP, DIP32,.6针数：32
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.61风险等级：5.61
最长访问时间：45 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-CDIP-T32JESD-609代码：e0
长度：42.1005 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：UVPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：128KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：WDIP封装等效代码：DIP32,.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE, WINDOW
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.588 mm最大待机电流：0.0001 A
子类别：EPROMs最大压摆率：0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.25 V最小供电电压 (Vsup)：4.75 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：15.24 mm
Base Number Matches：1

AM27C010-45DC5B 数据手册

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FINAL  
Am27C010  
1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS EPROM  
DISTINCTIVE CHARACTERISTICS  
■ Fast access time  
■ 100% Flashrite™ programming  
— Speed options as fast as 45 ns  
■ Low power consumption  
— Typical programming time of 16 seconds  
■ Latch-up protected to 100 mA from –1 V to  
V
+ 1 V  
CC  
— 20 µA typical CMOS standby current  
■ JEDEC-approved pinout  
■ High noise immunity  
■ Versatile features for simple interfacing  
— Both CMOS and TTL input/output compatibility  
— Two line control functions  
■ Single +5 V power supply  
■ ±10% power supply tolerance standard  
■ Standard 32-pin DIP, PDIP, and PLCC packages  
GENERAL DESCRIPTION  
The Am27C010 is a 1 Megabit, ultraviolet erasable pro-  
grammable read-only memory. It is organized as 128K  
words by 8 bits per word, operates from a single +5 V  
supply, has a static standby mode, and features fast  
single address location programming. Products are  
available in windowed ceramic DIP packages, as well  
as plastic one time programmable (OTP) PDIP and  
PLCC packages.  
thus eliminating bus contention in a multiple bus micro-  
processor system.  
AMD’s CMOS process technology provides high  
speed, low power, and high noise immunity. Typical  
power consumption is only 100 mW in active mode,  
and 100 µW in standby mode.  
All signals are TTL levels, including programming sig-  
nals. Bit locations may be programmed singly, in  
blocks, or at random. The device supports AMD’s  
Flashrite programming algorithm (100 µs pulses), re-  
sulting in a typical programming time of 16 seconds.  
Data can be typically accessed in less than 45 ns, al-  
lowing high-performance microprocessors to operate  
without any WAIT states. The device offers separate  
Output Enable (OE#) and Chip Enable (CE#) controls,  
BLOCK DIAGRAM  
V
Data Outputs  
DQ0–DQ7  
CC  
V
V
SS  
PP  
Output Enable  
Chip Enable  
and  
OE#  
CE#  
Output  
Buffers  
Prog Logic  
PGM#  
Y
Y
Gating  
Decoder  
A0–A16  
Address  
Inputs  
1,048,576  
Bit Cell  
Matrix  
X
Decoder  
10205J-1  
Publication# 10205 Rev: J Amendment/0  
Issue Date: July 2, 1999  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AM27C010-45DCB ROCHESTER

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 		1 Megabit ( 128 K x 8-Bit ) CMOS EPROM Speed options as fast as 45 ns
AM27C010-45DCB SPANSION

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 		UVPROM, 128KX8, 45ns, CMOS, CDIP32, CERAMIC, DIP-32
AM27C010-45DE5 AMD

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 		1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS EPROM
AM27C010-45DE5B AMD

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 		1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS EPROM
AM27C010-45DI ROCHESTER

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 		1 Megabit ( 128 K x 8-Bit ) CMOS EPROM Speed options as fast as 45 ns
AM27C010-45DI SPANSION

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AM27C010-45DI5 ROCHESTER

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 		1 Megabit ( 128 K x 8-Bit ) CMOS EPROM Speed options as fast as 45 ns
AM27C010-45DI5 AMD

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 		1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS EPROM
AM27C010-45DI5B ROCHESTER

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 		1 Megabit ( 128 K x 8-Bit ) CMOS EPROM Speed options as fast as 45 ns

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