是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | DIP, DIP48,.6 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 100 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDIP-T48 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 8192 bit |
内存集成电路类型: | MULTI-PORT SRAM | 内存宽度: | 8 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 48 |
字数: | 1024 words | 字数代码: | 1000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 1KX8 |
输出特性: | OPEN-DRAIN | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP48,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.185 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | MOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
AM2130-10DCB | AMD | 1024x8 Dual-Port Static Random-Access Memories |
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AM2130-10JC | AMD | 1024x8 Dual-Port Static Random-Access Memories |
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AM2130-10JCB | AMD | 1024x8 Dual-Port Static Random-Access Memories |
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AM2130-10JI | ETC | x8 Dual-Port SRAM |
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AM2130-10JIB | ETC | x8 Dual-Port SRAM |
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AM2130-10LC | ETC | x8 Dual-Port SRAM |
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AM2130-10LCB | ETC | x8 Dual-Port SRAM |
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AM2130-10PC | AMD | 1024x8 Dual-Port Static Random-Access Memories |
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AM2130-10PCB | AMD | 1024x8 Dual-Port Static Random-Access Memories |
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AM2130-10PI | ETC | x8 Dual-Port SRAM |
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AM2130-10PIB | ETC | x8 Dual-Port SRAM |
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AM2130-12 | AMD | 1024x8 Dual-Port Static Random-Access Memories |
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AM2130-12/BXC | ETC | x8 Dual-Port SRAM |
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AM2130-12DC | AMD | 1024x8 Dual-Port Static Random-Access Memories |
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AM2130-12DCB | AMD | 1024x8 Dual-Port Static Random-Access Memories |
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AM2130-12JC | AMD | 1024x8 Dual-Port Static Random-Access Memories |
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AM2130-12JCB | AMD | 1024x8 Dual-Port Static Random-Access Memories |
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AM2130-12JI | ETC | x8 Dual-Port SRAM |
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AM2130-12JIB | ETC | x8 Dual-Port SRAM |
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AM2130-12LC | ETC | x8 Dual-Port SRAM |
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