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ALD1101BSAL

更新时间： 2024-02-10 00:47:25

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先进线性 - ALD		/
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6页	60K
描述
DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR

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ALD1101BSAL 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	70 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

ALD1101BSAL 数据手册

PDIP-8 PACKAGE DRAWING

8 Pin Plastic DIP Package

Millimeters

Inches

Dim

Min

Max

Min

Max

5.08

0.105

0.200

3.81

1.27

2.03

1.65

0.51

0.30

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7.87

3.81

2.03

15°

0.015

0.050

0.035

0.015

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0°

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15°

0.38

1.27

0.89

0.38

0.20

9.40

5.59

7.62

2.29

7.37

2.79

1.02

0°

D-8

S-8

ALD1101A/ALD1101B/ALD1101

Advanced Linear Devices

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