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AK41512HNM-12

更新时间: 2024-11-17 19:28:51
品牌 Logo 应用领域
ACCUTEK 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
31页 1069K
描述
DRAM Module, 512KX1, 120ns, NMOS, CDIP18, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-18

AK41512HNM-12 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer零件包装代码:DIP
包装说明:HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-18针数:18
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.14
访问模式:NIBBLE最长访问时间:120 ns
其他特性:RAS ONLY/HIDDEN REFRESHJESD-30 代码:R-GDIP-T18
内存密度:524288 bit内存集成电路类型:DRAM MODULE
内存宽度:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:18
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:512KX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
认证状态:Not Qualified刷新周期:256
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:NMOS温度等级:MILITARY
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

AK41512HNM-12 数据手册

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