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AEPSH512K8-70

更新时间: 2024-01-28 17:10:55
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
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5页 204K
描述
x8 SRAM Module

AEPSH512K8-70 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:, SIP36H,.8Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.87Is Samacsys:N
最长访问时间:105 ns其他特性:BATTERY BACK-UP OPERATION
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XSMA-T36
JESD-609代码:e0内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:SRAM MODULE内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:36字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:512KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:UNSPECIFIED
封装等效代码:SIP36H,.8封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified子类别:SRAMs
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:MIXMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

AEPSH512K8-70 数据手册

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