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AEPSH64K8-10

更新时间: 2024-02-10 16:41:34
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
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5页 178K
描述
x8 SRAM Module

AEPSH64K8-10 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:, SIP35H(UNSPEC)Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.86Is Samacsys:N
最长访问时间:100 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XSMA-T35JESD-609代码:e0
内存密度:524288 bit内存集成电路类型:SRAM MODULE
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:35
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:UNSPECIFIED封装等效代码:SIP35H(UNSPEC)
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
子类别:SRAMs标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:MIXMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

AEPSH64K8-10 数据手册

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