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ADP3419JRM-REEL

更新时间： 2024-02-20 19:46:12
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 驱动器接口集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
13页 181K
描述
Dual Bootstrapped, High Voltage MOSFET Driver with Output Disable

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ADP3419JRM-REEL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：MSOP
包装说明：LEAD FREE, MSOP-10针数：10
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.46
高边驱动器：YES接口集成电路类型：HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码：S-PDSO-G10JESD-609代码：e3
长度：3 mm湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：10
最高工作温度：100 °C最低工作温度：
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP10,.19,20封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.1 mm子类别：MOSFET Drivers
标称供电电压：5 V电源电压1-最大：26 V
电源电压1-分钟：4 V表面贴装：YES
温度等级：OTHER端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：3 mm

ADP3419JRM-REEL 数据手册

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ADP3419  
SPECIFICATIONS  
VCC = SD = 5 V, BST = 4 V to 26 V, TA = 0°C to 100°C, unless otherwise noted.  
All limits at temperature extremes are guaranteed via correlation using standard statistical quality control (SQC) methods.  
Table 1.  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
LOGIC INPUTS (IN,  
,
, CROWBAR)  
SD DRVLSD  
Input Voltage High  
Input Voltage Low  
Input Current  
VIH  
VIL  
IIN  
2.0  
−1  
V
V
μA  
ns  
0.8  
+1  
Inputs = 0 V or 5 V  
CLOAD = 3 nF, Figure 3  
Propagation Delay Time  
tpdl  
,
20  
DRVLSD  
DRVLSD  
tpdh  
DRVLSD  
HIGH-SIDE DRIVER  
Output Resistance, Sourcing Current  
Output Resistance, Sinking Current  
Transition Times  
BST − SW = 4.6 V  
BST − SW = 4.6 V  
BST − SW = 4.6 V, CLOAD = 3 nF, Figure 4  
BST − SW = 4.6 V, CLOAD = 3 nF, Figure 4  
BST − SW = 4.6 V, CLOAD = 3 nF, Figure 4  
BST − SW = 4.6 V, CLOAD = 3 nF, Figure 4  
1.7  
0.8  
14  
11  
32  
28  
3.3  
2.3  
35  
25  
70  
60  
Ω
Ω
ns  
ns  
ns  
ns  
trDRVH  
tfDRVH  
tpdhDRVH  
tpdlDRVH  
Propagation Delay Times1  
15  
LOW-SIDE DRIVER  
Output Resistance, Sourcing Current  
Output Resistance, Sinking Current  
Transition Times  
1.7  
0.8  
13  
11  
25  
16  
350  
1
3.3  
2.3  
30  
25  
48  
Ω
Ω
trDRVL  
tfDRVL  
tpdhDRVL  
tpdlDRVL  
tSWTO  
VZC  
CLOAD = 3 nF, Figure 4  
CLOAD = 3 nF, Figure 4  
CLOAD = 3 nF, Figure 4  
CLOAD = 3 nF, Figure 4  
BST − SW = 4.6 V  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
V
Propagation Delay Times1, 2  
30  
600  
SW Transition Timeout2  
Zero-Crossing Threshold  
SUPPLY  
Supply Voltage Range  
Supply Current  
150  
4.6  
VCC  
6
V
Normal Mode  
Shutdown Mode  
ISYS(NM)  
ISYS(SD)  
ICC + IBST, IN = 0 V or 5 V  
0.8  
1.5  
600  
4.5  
mA  
μA  
V
ICC + IBST SD  
,
= 0 V  
325  
4.25  
120  
Undervoltage Lockout Threshold  
Undervoltage Lockout Hysteresis3  
VCC rising  
VCC falling  
3.8  
50  
mV  
1 For propagation delays, tpdh refers to the specified signal going high, and tpdl refers to the signal going low with transitions measured at 50%.  
2 The turn-on of DRVL is initiated after IN goes low by either SW crossing a ~1 V threshold or by expiration of tSWTO  
3 Guaranteed by characterization, not production tested.  
.
Rev. 2 | Page 3 of 13 | www.onsemi.com  
1234567...13

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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