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ADL5306ACPZ-REEL7

更新时间： 2024-01-26 06:34:03
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER /
页数 文件大小 规格书
17页 1719K
描述
SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, QCC16, 3 X 3 MM, MO-220VEED-2, LFCSP-16

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ADL5306ACPZ-REEL7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：QFN
包装说明：VQCCN,针数：16
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.05
模拟集成电路 - 其他类型：ANALOG CIRCUITJESD-30 代码：S-XQCC-N16
JESD-609代码：e3长度：3 mm
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：16最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：VQCCN封装形状：SQUARE
封装形式：CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：260
座面最大高度：1 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：MATTE TIN端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：3 mm
Base Number Matches：1

ADL5306ACPZ-REEL7 数据手册

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ADL5306  
5
0
10  
5
100nA  
0
100µA  
Av = 1  
–5  
–5  
Av = 5  
–10  
–15  
–20  
–25  
–30  
–35  
–10  
–15  
–20  
–25  
10µA  
1µA  
Av = 2  
Av = 2.5  
10M  
–40  
100  
10k  
100k  
1M  
FREQUENCY (Hz)  
100M  
1k  
10k  
100k  
FREQUENCY (Hz)  
1M  
10M  
100M  
03727-0-015  
03727-0-018  
Figure 15. Small-Signal AC Response (5% Sine Modulation), from IPD to VOUT  
(G = 1) for IPD in Decade Steps from 10 nA to 1 mA  
Figure 18. Small-Signal AC Response of the Buffer for Various  
Closed-Loop Gains (RL = 1 kΩ, CL < 2 pF)  
10  
2.0  
5
0
100nA  
1.5  
1.0  
100µA  
–5  
MEAN + 3σ  
MEAN – 3σ  
0.5  
–10  
–15  
–20  
–25  
–30  
–35  
–40  
0
10µA  
1µA  
–0.5  
–1.0  
–1.5  
–2.0  
–40 –30 –20 –10  
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90  
100  
1k  
10k  
100k  
FREQUENCY (Hz)  
1M  
10M  
100M  
03727-0-016  
03727-0-019  
TEMPERATURE (°C)  
Figure 16. Small-Signal AC Response (5% Sine Modulation), from IREF to VOUT  
(G = 1) for IREF in Decade Steps from 10 nA to 1 mA  
Figure 19. Buffer Input Offset Drift vs. Temperature  
(3σ to Either Side of Mean)  
100  
6
5
4
3
2
1
0
10  
1
100nA  
1µA  
10µA  
0.1  
0.01  
100µA  
100  
1k  
10k  
100k  
1M  
10M  
10n  
100n  
1µ  
10µ  
100µ  
1m  
03727-0-017  
FREQUENCY (Hz)  
I
(A)  
03727-0-020  
PD  
Figure 17. Spot Noise Spectral Density at VOUT (G = 1) vs. Frequency  
for IPD in Decade Steps from 10 nA to 1 mA  
Figure 20. Total Wideband Noise Voltage at VOUT vs. IPD (G = 1)  
Rev. 0 | Page 8 of 16  
1...6789101112...17

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