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ADG408BNZ

更新时间： 2024-02-02 21:35:03
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER PC光电二极管
页数 文件大小 规格书
17页 1256K
描述
8-CHANNEL, SGL ENDED MULTIPLEXER, PDIP16, LEDA FREE, PLASTIC, MS-001AB, DIP-16

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ADG408BNZ 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DIP
包装说明：LEDA FREE, PLASTIC, MS-001AB, DIP-16针数：16
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.3
其他特性：CAN ALSO OPERATE WITH 12V SUPPLY模拟集成电路 - 其他类型：SINGLE-ENDED MULTIPLEXER
JESD-30 代码：R-PDIP-T16JESD-609代码：e3
长度：20.07 mm湿度敏感等级：NOT APPLICABLE
标称负供电电压 (Vsup)：-15 V信道数量：8
功能数量：1端子数量：16
标称断态隔离度：75 dB通态电阻匹配规范：15 Ω
最大通态电阻 (Ron)：100 Ω最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
座面最大高度：5.33 mm标称供电电压 (Vsup)：15 V
表面贴装：NO最长断开时间：150 ns
最长接通时间：150 ns技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

ADG408BNZ 数据手册

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ADG408/ADG409  
B Version  
−40ºC to  
T Version  
−55ºC to  
Parameter  
+25ºC  
+85ºC  
+25ºC  
+125ºC  
Unit  
Test Conditions/Comments  
POWER REQUIREMENTS  
IDD  
1
5
1
5
1
5
1
5
μA typ  
μA max  
μA typ  
μA max  
μA typ  
μA max  
VIN = 0 V, VEN = 0 V  
ISS  
IDD  
100  
200  
100  
200  
VIN = 0 V, VEN = 2.4 V  
500  
500  
1 Guaranteed by design, not subject to production test.  
SINGLE SUPPLY  
VDD = 12 V, VSS = 0 V, GND = 0 V, unless otherwise noted.  
Table 2.  
B Version  
−40ºC to  
T Version  
−55ºC to  
Parameter  
+25ºC +85ºC  
+25°C  
+125ºC  
Unit  
Test Conditions/Comments  
ANALOG SWITCH  
Analog Signal Range  
RON  
0 to VDD  
0 to VDD  
V
90  
90  
0.5  
Ω typ  
VD = 3 V, 10 V, IS = –1 mA  
LEAKAGE CURRENTS  
Source Off Leakage IS (OFF)  
Drain Off Leakage ID (OFF)  
ADG408  
0.5  
50  
50  
nA max  
VD = 8 V/0 V, VS = 0 V/8 V; see Figure 19  
VD = 8 V/0 V, VS = 0 V/8 V; see Figure 20  
1
1
100  
50  
1
1
100  
50  
nA max  
nA max  
ADG409  
Channel On Leakage ID, IS (ON)  
ADG408  
ADG409  
VS = VD = 8 V/0 V; see Figure 21  
1
1
100  
50  
1
1
100  
50  
nA max  
nA max  
DIGITAL INPUTS  
Input High Voltage, VINH  
Input Low Voltage, VINL  
Input Current  
2.4  
0.8  
2.4  
0.8  
V min  
V max  
IINL or IINH  
10  
10  
μA max  
pF typ  
VIN = 0 or VDD  
f = 1 MHz  
CIN, Digital Input Capacitance  
DYNAMIC CHARACTERISTICS1  
tTRANSITION  
8
8
130  
10  
130  
10  
ns typ  
ns typ  
RL = 300 Ω, CL = 35 pF;  
VS1 = 8 V/0 V, VS8 = 0 V/8 V; see Figure 22  
RL = 300 Ω, CL = 35 pF;  
tOPEN  
VS = 5 V; see Figure 23  
tON (EN)  
tOFF (EN)  
140  
60  
140  
60  
ns typ  
ns typ  
RL = 300 Ω CL = 35 pF;  
VS = 5 V; see Figure 24  
RL = 300 Ω, CL = 35 pF;  
VS = 5 V; see Figure 24  
Charge Injection  
Off Isolation  
5
–75  
5
–75  
pC typ  
dB typ  
VS = 0 V, RS = 0Ω, CL = 10 nF; see Figure 25  
RL = 1 kΩ f = 100 kHz;  
VEN = 0 V; see Figure 26  
Rev. C | Page 4 of 16  
 
 
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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