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Datasheet > 信号电路 > 锁相环或频率合成电路> ADF4212LBRU
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ADF4212LBRU

更新时间： 2024-02-23 04:03:35
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI /
页数 文件大小 规格书
20页 241K
描述
Dual Low Power PLL Frequency Synthesizer

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ADF4212LBRU 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TSSOP
包装说明：TSSOP, TSSOP20,.25针数：20
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：5A991.B
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.12
模拟集成电路 - 其他类型：PLL FREQUENCY SYNTHESIZERJESD-30 代码：R-PDSO-G20
JESD-609代码：e3长度：6.5 mm
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：20最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP20,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
子类别：PLL or Frequency Synthesis Circuits最大供电电流 (Isup)：10 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.3 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：4.4 mm
Base Number Matches：1

ADF4212LBRU 数据手册

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ADF4212L  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1, 2, 3  
(TA = 25°C, unless otherwise noted.)  
NOTES  
1Stresses above those listed under Absolute Maximum Ratings may cause perma-  
nent damage to the device. This is a stress rating only; functional operation of the  
device at these or any other conditions above those listed in the operational sections  
of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating condi-  
tions for extended periods may affect device reliability.  
2This device is a high performance RF integrated circuit with an ESD rating of  
<2 kV, and it is ESD sensitive. Proper precautions should be taken for handling and  
assembly.  
VDD1 to GND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 V to +3.6 V  
V
DD1 to VDD2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 V to +0.3 V  
VP1, VP2 to GND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 V to +3.6 V  
VP1, VP2 to VDD1, VDD2 . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 V to +3.6 V  
Digital I/O Voltage to GND . . . . . . –0.3 V to DVDD + 0.3 V  
Analog I/O Voltage to GND . . . . . . . . –0.3 V to VDD + 0.3 V  
REFIN, RFIN, IFIN to GND . . . . . . . –0.3 V to VDD + 0.3 V  
Operating Temperature Range  
3GND = AGND = DGND = 0 V  
ORDERING GUIDE  
Industrial (B Version) . . . . . . . . . . . . . . . –40°C to +85°C  
Storage Temperature Range . . . . . . . . . . . . –65°C to +150°C  
Maximum Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . 150°C  
TSSOP ␪JA Thermal Impedance . . . . . . . . . . . . . 150.4°C/W  
CSP ␪JA Thermal Impedance (Paddle Soldered) . . . 122°C/W  
CSP ␪JA Thermal Impedance (Paddle Not Soldered) 216°C/W  
Lead Temperature, Soldering  
Model  
ADF4212LBRU –40°C to +85°C  
ADF4212LBCP –40°C to +85°C  
Temperature Range Package Option*  
RU-20  
CP-20  
*RU = Thin Shrink Small Outline Package (TSSOP)  
CP = Chip Scale Package  
Contact the factory for chip availability.  
Vapor Phase (60 sec) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 215°C  
Infrared (15 sec) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 220°C  
CAUTION  
ESD (electrostatic discharge) sensitive device. Electrostatic charges as high as 4000 V readily  
accumulate on the human body and test equipment and can discharge without detection. Although  
the ADF4212L features proprietary ESD protection circuitry, permanent damage may occur on  
devices subjected to high energy electrostatic discharges. Therefore, proper ESD precautions are  
recommended to avoid performance degradation or loss of functionality.  
WARNING!  
ESD SENSITIVE DEVICE  
PIN CONFIGURATION  
TSSOP  
LFCSP  
1
2
20  
VDD  
1
VDD  
2
19  
VP1  
VP2  
20 19 18 17 16  
1
2
3
4
5
15  
14  
13  
12  
11  
CPRF  
DGNDRF  
RFIN  
DGNDIF  
3
18  
17  
CPRF  
CPIF  
IFIN  
4
DGNDIF  
IFIN  
DGNDRF  
RFIN  
ADF4212L  
AGNDIF  
RSET  
LE  
5
ADF4212L 16  
CHIP SCALE  
PACKAGE  
TOP VIEW  
AGNDRF  
FLO  
6
15  
AGNDRF  
FLO  
AGNDIF  
RSET  
LE  
(Not To Scale)  
7
14  
6
7
8
9
10  
13  
12  
11  
REFIN  
8
DGNDIF  
9
DATA  
CLK  
10  
MUXOUT  
–4–  
REV. 0  
1234567...20

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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