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Datasheet > 放大器电路 > 运算放大器> ADA4857-1YRZ-R7
ADA4857-1YRZ-R7 PDF预览

ADA4857-1YRZ-R7

更新时间： 2024-01-24 09:41:22
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 运算放大器放大器电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
20页 588K
描述
Ultralow Distortion, Low Power, Low Noise, High Speed Op Amp

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ADA4857-1YRZ-R7 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP,针数：8
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.35
Is Samacsys：N放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)：3.3 µA标称共模抑制比：86 dB
最大输入失调电压：4.5 µVJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：4.9 mm
湿度敏感等级：1负供电电压上限：-5.5 V
标称负供电电压 (Vsup)：-5 V功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
座面最大高度：1.75 mm标称压摆率：2800 V/us
子类别：Operational Amplifier供电电压上限：5.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：3.9 mmBase Number Matches：1

ADA4857-1YRZ-R7 数据手册

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ADA4857-1/ADA4857-2  
Parameter  
Conditions  
Min Typ  
Max Unit  
POWER SUPPLY  
Operating Range  
Quiescent Current  
Quiescent Current (Power Down)  
Positive Power Supply Rejection  
Negative Power Supply Rejection  
4.5  
10.5  
5.5  
450  
V
5
350  
mA  
μA  
dB  
dB  
PD ≥ VCC − 2 V  
+VS = 4.5 V to 5.5 V, −VS = −5 V  
+VS = 5 V, −VS = −4.5 V to −5.5 V  
−59 −62  
−65 −68  
+5 V SUPPLY  
TA = 25°C, G = +2, RF = RG = 499 Ω, RL = 1 kΩ to midsupply, PD = no connect, unless otherwise noted.  
Table 2.  
Parameter  
Conditions  
Min Typ  
595 800/750  
Max Unit  
DYNAMIC PERFORMANCE  
–3 dB Bandwidth (LFCSP/SOIC)  
G = +1, VOUT = 0.2 V p-p  
G = +1, VOUT = 2 V p-p  
G = +2, VOUT = 0.2 V p-p  
G = +1, VOUT = 2 V p-p, THD < −40 dBc  
G = +2, VOUT = 2 V p-p, RL = 150 Ω  
G = +1, VOUT = 2 V step  
MHz  
MHz  
MHz  
MHz  
MHz  
V/μs  
ns  
500/400  
360/300  
95  
50/40  
1500  
15  
Full Power Bandwidth  
Bandwidth for 0.1 dB Flatness (LFCSP/SOIC)  
Slew Rate (10% to 90%)  
Settling Time to 0.1%  
G = +2, VOUT = 2 V step  
NOISE/HARMONIC PERFORMANCE  
Harmonic Distortion  
f = 1 MHz, G= +1, VOUT = 2 V p-p (HD2)  
f = 1 MHz, G= +1, VOUT = 2 V p-p (HD3)  
f = 10 MHz, G= +1, VOUT = 2 V p-p (HD2)  
f = 10 MHz, G= +1, VOUT = 2 V p-p (HD3)  
f = 50 MHz, G= +1, VOUT = 2 V p-p (HD2)  
f = 50 MHz, G= +1, VOUT = 2 V p-p (HD3)  
f = 100 kHz  
−92  
−90  
−81  
−71  
−69  
−55  
4.4  
dBc  
dBc  
dBc  
dBc  
dBc  
dBc  
Input Voltage Noise  
Input Current Noise  
DC PERFORMANCE  
Input Offset Voltage  
Input Offset Voltage Drift  
Input Bias Current  
Input Bias Current Drift  
Input Bias Offset Current  
Open-Loop Gain  
nV/√Hz  
pA/√Hz  
f = 100 kHz  
1.5  
1
4.2 mV  
μV/°C  
−3.3 μA  
4.6  
−1.7  
24.5  
50  
nA/°C  
nA  
dB  
VOUT = 1.25 V to 3.75 V  
57  
PD (Power-Down) Pin  
PD Input Voltage  
Chip powered down  
≥(VCC − 2)  
V
Chip enabled  
≤(VCC − 4.2)  
V
Turn-Off Time  
Turn-On Time  
PD Pin Leakage Current  
50% off PD to <10% of final VOUT, VIN = 1 V, G = +2  
50% off PD to <10% of final VOUT, VIN = 1 V, G = +2  
Chip enable  
38  
30  
8
μs  
ns  
μA  
μA  
Chip powered down  
30  
INPUT CHARACTERISTICS  
Input Resistance  
Common mode  
Differential mode  
Common mode  
8
4
2
MΩ  
MΩ  
pF  
V
Input Capacitance  
Input Common-Mode Voltage Range  
Common-Mode Rejection Ratio  
1 to 4  
VCM = 2 V to 3 V  
−76 −84  
dB  
Rev. 0 | Page 4 of 20  
 
1234567...20

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