AD7150

更新时间： 2024-02-21 07:25:30

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亚德诺 - ADI		转换器
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24页	258K
描述
Ultra Low Power, 2 Channel, Capacitance Converter for Proximity Sensing

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AD7150 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TSSOP
包装说明：	TSSOP,	针数：	10
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	0.77
Is Samacsys：	N	商用集成电路类型：	CONSUMER CIRCUIT
JESD-30 代码：	S-PDSO-G10	JESD-609代码：	e3
长度：	3 mm	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	10
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.1 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	表面贴装：	YES
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	3 mm	Base Number Matches：	1

AD7150 数据手册

AD7150

Preliminary Technical Data

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

T_A= 25°C, unless otherwise noted.

Table 3.

Stresses above those listed under Absolute Maximum Ratings

Parameter

Rating

may cause permanent damage to the device. This is a stress

rating only and functional operation of the device at these or

any other conditions above those indicated in the operational

section of this specification is not implied. Exposure to absolute

maximum rating conditions for extended periods may affect

device reliability.

Positive Supply Voltage V_DDto GND

−0.3 V to + 3.9 V

Voltage on any Input or Output to GND

–0.3 V to V_DD+ 0.3 V

ESD Rating (ESD Association Human Body TBD V

Model, S5.1)

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

Junction Temperature

–40°C to +125°C

–65°C to +150°C

150°C

206°C/W

uSOIC Package θ_JA,

(Thermal Impedance-to-Air)

44 °C/W

uSOIC Package θ_JC,

(Thermal Impedance-to-Case)

Lead Temperature, Soldering (10 sec)

IR Reflow, Peak Temperature

300°C

220°C

ESD CAUTION

ESD (electrostatic discharge) sensitive device. Electrostatic charges as high as 4000 V readily accumulate on the

human body and test equipment and can discharge without detection. Although this product features

proprietary ESD protection circuitry, permanent damage may occur on devices subjected to high energy

electrostatic discharges. Therefore, proper ESD precautions are recommended to avoid performance

degradation or loss of functionality.

Rev. PrD| Page 5 of 24

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