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AD5940BCBZ-RL

更新时间： 2024-01-29 17:48:36
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI /
页数 文件大小 规格书
130页 1952K
描述
High Precision, Impedance, and Electrochemical Front End

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AD5940BCBZ-RL 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：WLCSP-56
针数：56Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.81模拟集成电路 - 其他类型：ANALOG CIRCUIT
JESD-30 代码：R-PBGA-B56长度：4.16 mm
功能数量：1端子数量：56
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：VFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
座面最大高度：0.55 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.8 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：BALL端子节距：0.4 mm
端子位置：BOTTOM宽度：3.56 mm

AD5940BCBZ-RL 数据手册

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Data Sheet  
AD5940  
Parameter  
Allowed Duration of Overcurrent Limit1  
Symbol Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Conditions/Comments  
5
sec  
User must limit duration of overcurrent condition  
to less than 5 sec or risk damaging amplifier  
Allowed Frequency of Overcurrent  
Conditions1  
Short-Circuit Protection  
PROGRAMMABLE RESISTORS  
Low Power TIA RLOAD on SE0 Inputs1  
0 Ω RLOAD Accuracy  
1
Per hour  
mA  
12  
When amplifier output is shorted to ground  
0.01  
9.8  
28  
0.08  
11.7  
33.8  
55  
0.15  
13.5  
39  
Ω
Ω
Ω
Ω
10 Ω RLOAD Accuracy  
30 Ω RLOAD Accuracy  
50 Ω RLOAD Accuracy  
48  
63  
100 Ω RLOAD Accuracy  
88  
110  
130  
Ω
Drift over Temperature  
200  
400  
ppm/°C  
ppm/°C  
10 Ω, 30 Ω, 100 Ω, 1500 Ω, 3000 Ω, and 3500 Ω  
50 Ω  
Low Power TIA RTIA on SE0 Input1  
Accuracy  
−5  
+15  
130  
%
User programmable; includes 1 kΩ, 2 kΩ, 3 kΩ,  
4 kΩ, 6 kΩ, 8 kΩ, 10 kΩ, 16 kΩ, 20 kΩ, 22 kΩ, 30 kΩ,  
40 kΩ, 64 kΩ, 100 kΩ, 128 kΩ, 160 kΩ, 192 kΩ,  
256 kΩ, and 512 kΩ  
115  
120  
Ω
200 Ω setting with RLOAD = 100 Ω  
Drift over Temperature  
Mismatch Error1  
100  
ppm/°C  
Error when moving up or down one RTIA value  
512 kΩ to 2 kΩ range excluding 40 kΩ  
40 kΩ (up to 48 kΩ, down to 32 kΩ)  
200 Ω  
−0.6  
−3.5  
+0.2  
+0.5  
20  
+0.6  
+3.5  
%
%
%
High Speed TIA RTIA on SE0 Input  
Accuracy  
20  
%
User programmable; includes 100 Ω, 200 Ω, 1 kΩ,  
5 kΩ, 10 kΩ, 20 kΩ, 40 kΩ, 80 kΩ, and 160 kΩ  
Drift  
200  
ppm/°C  
High Speed TIA RLOAD on SE0 Input1  
User programmable; includes 10 Ω, 30 Ω, 50 Ω,  
and 100 Ω  
Accuracy  
Drift  
High Speed TIA RTIA on DE0 Input1  
102  
110  
160  
116  
Ω
Fixed 100 Ω target setting  
ppm/°C  
User programmable; includes 0.1 kΩ, 0.2 kΩ,  
1.5 kΩ, 10 kΩ, 20 kΩ, 40 kΩ, 80 kΩ, and 160 kΩ  
Accuracy  
120  
230  
135  
250  
20  
150  
280  
Ω
Ω
%
100 Ω setting  
200 Ω setting  
1 kΩ, 5 kΩ, 10 kΩ, 20 kΩ, 40 kΩ, 80 kΩ, and  
160 kΩ  
Drift over Temperature  
350  
200  
ppm/°C  
ppm/°C  
100 Ω and 200 Ω settings  
1 kΩ, 5 kΩ, 10 kΩ, 20 kΩ, 40 kΩ, 80 kΩ, and  
160 kΩ  
High Speed TIA RTIA Mismatch Error on  
DE01  
Error introduced when moving up or down one  
RTIA value  
−3.5  
−25  
+1  
2
+3.5  
+5  
%
%
160 kΩ to 5 kΩ range  
1 kΩ, 200 Ω, and 100 Ω  
Load resistor on the DE0 pin (RLOAD_DE0  
0 Ω setting  
10 Ω setting  
High Speed TIA RLOAD on DE0 Input1  
Accuracy  
)
0.001  
5
0.15  
11  
Ω
Ω
26.5  
32.6  
15  
0.2  
37.6  
25  
Ω
%
30 Ω setting  
50 Ω, and 100 Ω settings  
10 Ω setting  
Drift over Temperature  
%/°C  
ppm/°C  
200  
Excludes RLOAD = 0 Ω and 10 Ω  
HIGH SPEED TIA  
Bias Current  
Maximum Current Sink/Source1  
1
nA  
mA  
−3  
+3  
Ensure RTIA selection generates an output  
voltage of < 900 mV with PGA gain = 1  
Rev. 0 | Page 9 of 130  
1...6789101112...130

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