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ACS110-7SN

更新时间： 2024-02-08 02:53:58
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极触发装置开关三端双向交流开关光电二极管驱动
页数 文件大小 规格书
10页 119K
描述
AC LINE SWITCH

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ACS110-7SN 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.30.00.80Factory Lead Time：19 weeks
风险等级：1.53Is Samacsys：N
其他特性：WITH BUILT IN CLAMPING STRUCTURE AND GATE LEVEL SHIFTER DRIVER配置：SINGLE WITH BUILT-IN TRIGGER ELEMENT IN SERIES WITH GATE
最大直流栅极触发电流：10 mA最大直流栅极触发电压：1 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
最大漏电流：0.2 mA湿度敏感等级：1
通态非重复峰值电流：11 A元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-30 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：1 A断态重复峰值电压：700 V
子类别：TRIACs表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
触发设备类型：SNUBBERLESS TRIACBase Number Matches：1

ACS110-7SN 数据手册

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ACS110-7SN/SB2  
Fig. 4: Relative variation of gate trigger current,  
holding current and latching versus junction  
temperature (typical values).  
Fig. 5: Relative variation of static dV/dt versus  
junction temperature.  
dV/dt [T ] / dV/dt [T = 125°C]  
j
j
I
, I , I [T ] / I , I , I [T = 25°C]  
GT  
H
L
j
GT  
H
L
j
8
7
6
5
4
3
2
1
0
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
VOUT=460V  
IGT  
IL & IH  
T (°C)  
j
T (°C)  
j
25  
50  
75  
100  
125  
-40 -30 -20 -10  
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130  
Fig. 6: Relative variation of critical rate of de-  
crease of main current versus reapplied dV/dt  
(typical values).  
Fig. 7: Relative variation of critical rate of decrease  
of main current versus junction temperature.  
(dI/dt) [(dV/dt) ] / Specified (dI/dt)  
(dI/dt) [Tj] / (dI/dt) [T = 125°C]  
c c j  
c
c
c
5.0  
4.5  
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
20  
18  
16  
14  
12  
10  
8
VOUT=400V  
VOUT=400V  
6
4
(dV/dt) (V/µs)  
c
2
T (°C)  
j
0
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
40  
45  
50  
25  
50  
75  
100  
125  
Fig. 9: Non repetitive surge peak on-state current  
for a sinusoidal pulse with width tp < 10ms, and  
corresponding value of I²t.  
Fig. 8: Surge peak on-state current versus number  
of cycles.  
I
(A), I²t (A²s)  
TSM  
I
(A)  
TSM  
100.0  
10.0  
1.0  
10  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Tj initial=25°C  
t=20ms  
ITSM  
Non repetitive  
Tj initial=25°C  
Repetitive  
Tab=105°C  
I²t  
t (ms)  
p
Number of cycles  
0.1  
1
10  
100  
1000  
0.01  
0.10  
1.00  
10.00  
7/10  
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