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ACJ110-8W

更新时间： 2023-12-06 20:09:25

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捷捷微 - JJM		可控硅
页数	文件大小	规格书
10页	1156K
描述
瞬态抑制型双向可控硅

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ACJ110-8W 数据手册

ACJ110-8W

JieJie Microelectronics Co., Ltd.

Average gate power dissipation (T_j=125℃)

P_G(AV)

P_GM

0.1

Peak gate power

Peak pulse voltage

(T_j=25℃; non-repetitive,off-state;FIG.8)

V_pp

3.5

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_j=25℃ unless otherwise specified)

Symbol

I_GT

Test Condition

Quadrant

Ⅱ-Ⅲ

Value

Unit

MAX.

V_D=12V R_L=33Ω

V_GT

Ⅱ-Ⅲ

1.3

V_D=V_DRMT_j=125℃

R_L=3.3KΩ

V_GD

Ⅱ-Ⅲ

MIN.

0.15

Ⅱ

Ⅲ

I_L

MAX.

I_G=1.2I_GT

I_H

I_T=100mA

MAX.

MIN.

V/μs

A/ms

dV/dt

V_D=540V Gate Open T_j=125℃

(dI/dt)c (dV/dt)c=10V/μs, Tj=125℃

0.5

2.5

t_on

I_G=20mA I_A=200mA I_R=20mA

T_j=25℃

TYP.

MIN.

μs

t_off

V_CL

I_CL=0.1mA t_p=1ms

850

STATIC CHARACTERISTICS

Symbol

Parameter

I_TM=1.1A t_p=380μs

Value(MAX.)

Unit

V_TM

VTO

T_j=25℃

T_j=125℃

T_j=25℃

T_j=125℃

1.3

0.77

276

Threshold voltage

Dynamic resistance

mΩ

μA

I_DRM

I_RRM

V_D=V_DRMV_R=V_RRM

0.5

THERMAL RESISTANCES

Symbol

Parameter

junction to case (AC)

junction to ambient (AC)

Value

Unit

℃/W

R_th(j-c)

R_th(j-a)

150

TEL：+86-513-68528666

http://www.jjwdz.com

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