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A625308A-70SU

更新时间: 2024-02-01 10:22:41
品牌 Logo 应用领域
联笙电子 - AMICC 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
14页 143K
描述
32K X 8 BIT CMOS SRAM

A625308A-70SU 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP28,.6Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDIP-T28
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP28,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.000003 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.035 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

A625308A-70SU 数据手册

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A625308A Series  
Timing Waveforms (continued)  
Read Cycle 3 (1, 3, 4)  
CE  
tACE  
5
tCLZ  
5
tCHZ  
DOUT  
Notes: 1. WE is high for Read Cycle.  
2. Device is continuously enabled, CE = VIL.  
3. Address valid prior to or coincident with CE transition low.  
4. OE = VIL.  
5. Transition is measured ±500mV from steady state. This parameter is sampled and not 100% tested.  
Write Cycle 1 (6)  
(Write Enable Controlled)  
tWC  
Address  
3
tAW  
tWR  
5
tCW  
CE  
WE  
DIN  
(4)  
1
2
tAS  
tWP  
tDW  
tDH  
7
tWHZ  
7
tOW  
DOUT  
PRELIMINARY  
(July, 2002, Version 0.2)  
7
AMIC Technology, Inc.  

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