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A5T5172

更新时间: 2024-11-21 14:47:31
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德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
2页 57K
描述
100mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

A5T5172 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.88
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:25 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:O-PBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.625 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

A5T5172 数据手册

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