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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | TSOP2, TSOP24/26,.36 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.62 | 访问模式： | FAST PAGE |
| 最长访问时间： | 45 ns | 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G24 |
| 长度： | 17.14 mm | 内存密度： | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型： | EDO DRAM | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 24 | 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 4MX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP2 |
| 封装等效代码： | TSOP24/26,.36 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 2048 |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 自我刷新： | YES |
| 最大待机电流： | 0.001 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.08 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| A42L2604V-45U | AMICC |
获取价格 |
4M X 4 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
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| A42L2604V-45UF | AMICC |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX4, 45ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-26/24 |
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| A42L2604V-50 | AMICC |
获取价格 |
4M X 4 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
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| A42L2604V-50F | AMICC |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24 |
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| A42L2604V-50U | AMICC |
获取价格 |
4M X 4 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
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| A42L2604V-50UF | AMICC |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24 |
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| A42L8316 | AMICC |
获取价格 |
256K X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
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| A42L8316S | AMICC |
获取价格 |
256K X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
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| A42L8316S-30 | AMICC |
获取价格 |
256K X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
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| A42L8316S-35 | AMICC |
获取价格 |
256K X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
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