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A42L2604V-45F

更新时间： 2024-01-11 23:47:07

品牌	Logo	应用领域
联笙电子 - AMICC		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
25页	330K
描述
EDO DRAM, 4MX4, 45ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-26/24

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A42L2604V-45F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	TSOP2, TSOP24/26,.36	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.62	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	45 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G24
长度：	17.14 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	24	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP24/26,.36	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	2048
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.08 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

A42L2604V-45F 数据手册

A42L2604 Series

EDO Page Mode Read-Early-Write Cycle (Pseudo Read-Modify-Write)

RP(2)

RASP(47)

RAS

CAS

CSH(8)

PC(42)

RSH(7)

RCD(5)

CAS(4)

CP(44)

CAS(4)

CP(44)

CAS(4)

tCPR(9)

CRP(9)

RAL(21)

RAD(6)

ASC(24)

tCAH(25)

ASC(24)

CAH(25)

RAH(11)

ASC(24)

CAH(25)

ASR(10)

Row

Column

Address

RCH(19)

RCS(18)

WCS(27)

tWCH(28)

AA(15)

CAP(43)

DS(33)

DH(34)

RAC(13)

CAC(14)

tCAC(14)

OEA(16)

COH(22)

I/O

Data-out

Data-in

: High or Low

(October, 2004, Version 1.2)

AMIC Technology, Corp.

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