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A29DL323TV-90

更新时间： 2024-01-31 22:18:06
品牌 Logo 应用领域
联笙电子 - AMICC 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
46页 467K
描述
32M-Bit CMOS Low Voltage Dual Operation Flash Memory 4M-Byte by 8-Bit (Byte Mode) / 2M-Word by 16-Bit (Word Mode)

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A29DL323TV-90 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：TSSOP, TSSOP48,.8,20Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.69最长访问时间：90 ns
备用内存宽度：8启动块：TOP
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PDSO-G48
内存密度：33554432 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16部门数/规模：8,63
端子数量：48字数：2097152 words
字数代码：2000000最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-25 °C组织：2MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP48,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行：PARALLEL
电源：3/3.3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES部门规模：8K,64K
最大待机电流：0.000005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.045 mA表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL切换位：YES
类型：NOR TYPEBase Number Matches：1

A29DL323TV-90 数据手册

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A29DL323 Series  
Table 3. A29DL323 Top Boot Block Sector Address Table (continued)  
Bank Sector  
Sector Address Table  
Bank Address Table  
A20 A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12  
Sector Size Address Range (in hexadecimal)  
(Kbytes/  
Kwords)  
Byte Mode  
(x 8)  
Word Mode  
(x16)  
Bank 2 SA34  
SA33  
SA32  
SA31  
SA30  
SA29  
SA28  
SA27  
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22FFFFH-220000H 117FFFH-110000H  
21FFFFH-210000H 10FFFFH-108000H  
20FFFFH-200000H 107FFFH-100000H  
1FFFFFH-1F0000H 0FFFFFH-0F8000H  
1EFFFFH-1E0000H 0F7FFFH-0F0000H  
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03FFFFH-030000H 01FFFFH-018000H  
02FFFFH-020000H 017FFFH-010000H  
01FFFFH-010000H 00FFFFH-008000H  
00FFFFH-000000H 007FFFH-000000H  
SA8  
SA7  
SA6  
SA5  
SA4  
SA3  
SA2  
SA1  
SA0  
PRELIMINARY  
(May, 2002, Version 0.0)  
9
AMIC Technology, Inc.  
1...6789101112...46

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与A29DL323TV-90相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
A29DL323TV-90F AMICC Flash, 2MX16, 90ns, PDSO48

获取价格
A29DL323TV-90I AMICC Flash, 2MX16, 90ns, PDSO48

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A29DL323TV-90IF AMICC Flash, 2MX16, 90ns, PDSO48

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A29DL323TV-90U AMICC 暂无描述

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A29DL323TV-90UF AMICC 暂无描述

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A29DL323UG-120 AMICC 32 Megabit (4M x 8-Bit/2M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memor

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