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2N6517

更新时间： 2024-02-08 10:48:25

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描述
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

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2N6517 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.06
集电极-发射极最大电压：	350 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	40 MHz	Base Number Matches：	1

2N6517 数据手册

NPN SILICON PLANAR

2N6517

MEDIUM POWER TRANSISTOR

ISSUE 1 MARCH 94

FEATURES

350 Volt V_CEO

Gain of 15 at I_C=100mA

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_B

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

350

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

250

°C

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb= 25°C

Operating and Storage Temperature Range

I_C

500

P_tot

680

T_j:T_stg

-55 to +200

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

MAX.

UNIT

CONDITIONS.

Collector-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

350

I_C=100µA, I_E=0

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

I_C=1mA, I_B=0*

Emitter-Base Breakdown

Voltage

I_E=10µA, I_C=0

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

I_CBO

V_CB=250V, I_E=0

V_EB=5V, I_C=0

I_EBO

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

0.3

0.35

0.5

1.0

I_C=10mA, I_B=1mA*

I_C=20mA, I_B=2mA*

I_C=30mA, I_B=3mA*

I_C=50mA, I_B=5mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

0.80

0.85

0.90

I_C=10mA, I_B=1mA*

I_C=20mA, I_B=2mA*

I_C=30mA, I_B=3mA*

Base-Emitter Turn-On

Voltage

V_BE(on)

h_FE

2.0

IC=100mA, V_CE=10V*

Static Forward Current

Transfer Ratio

I_C=1mA, V_CE=10V

I_C=10mA, V_CE=10V*

I_C=30mA, V_CE=10V*

I_C=50mA, V_CE=10V*

I_C=100mA, V_CE=10V*

200

Transition Frequency

f_T

MHz

I_C=10mA, V_CE=20V, f=20MHz

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

3-3

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