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HN58V65AFPI-10

更新时间： 2024-01-09 04:56:57

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瑞萨 - RENESAS		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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描述
64k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function, RES function (HN58V66A) Wide Temperature Range version

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HN58V65AFPI-10 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP, SOP28,.45	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	100 ns
命令用户界面：	NO	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	长度：	18.3 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP28,.45
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
页面大小：	64 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/5 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	2.5 mm
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.025 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.6 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
宽度：	8.4 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

HN58V65AFPI-10 数据手册

HN58V65AI Series

HN58V66AI Series

HN58V65A-SR Series

HN58V66A-SR Series

64k EEPROM (8-kword × 8-bit)

Ready/Busy function, RES function (HN58V66A)

Wide Temperature Range version

REJ03C0153-0300Z

(Previous ADE-203-759B(Z) Rev.2.0)

Rev. 3.00

Feb.02.2004

Description

Renesas Technology’s HN58V65A series and HN58V66A series are electrically erasable and

programmable EEPROM’s organized as 8192-word × 8-bit. They have realized high speed, low power

consumption and high reliability by employing advanced MNOS memory technology and CMOS process

and circuitry technology. They also have a 64-byte page programming function to make their write

operations faster.

Features

•

Single supply: 2.7 to 5.5 V

Access time:



100 ns (max) at 2.7 V ≤ V_CC< 4.5 V

70 ns (max) at 4.5 V ≤ V_CC≤ 5.5 V

•

Power dissipation:

 Active: 20 mW/MHz (typ)

 Standby: 110 µW (max)

•

On-chip latches: address, data, CE, OE, WE

Automatic byte write: 10 ms (max)

Automatic page write (64 bytes): 10 ms (max)

Ready/Busy

Data polling and Toggle bit

Data protection circuit on power on/off

Rev.3.00, Feb.02.2004, page 1 of 26

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与HN58V65AFPI-10相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HN58V65AFPI-10E	RENESAS	64k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function, RES function (HN58V66A) Wide Temperature	获取价格
HN58V65AI	RENESAS	64k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function, RES function (HN58V66A) Wide Temperature	获取价格
HN58V65AISERIES	ETC	x8 EEPROM	获取价格
HN58V65AP-10	HITACHI	64 k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function, RES function (HN58V66A)	获取价格
HN58V65AP-10	RENESAS	64 k EEPROM (8-kword × 8-bit) Ready/Busy Func	获取价格
HN58V65AP-10E	RENESAS	64 k EEPROM (8-kword × 8-bit) Ready/Busy Func	获取价格

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