2SB0937

更新时间： 2024-02-11 03:10:51

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松下 - PANASONIC		晶体开关晶体管功率双极晶体管
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3页	76K
描述
For Power Amplification And Switching

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2SB0937 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	35 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

2SB0937 数据手册

Power Transistors

2SB0937 (2SB937), 2SB0937A (2SB937A)

Silicon PNP epitaxial planar type Darlington

Unit: mm

8.5 0.2

6.0 ^0.2

3.4 0.3

1.0 0.1

For power amplification and switching

Complementary to 2SD1260, 2SD1260A

■ Features

• High forward current transfer ratio h_FE

• High-speed switching

• N type package enabling direct soldering of the radiating fin to the

printed circuit board, etc. of small electronic equipment.

0 to 0.4

R = 0.5

1.0 ^0.1

0.8 0.1

2.54 0.3

1.4 0.1

0.4 0.1

5.08 0.5

(8.5)

(6.0)

(6.5)

1.3

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

−60

Unit

2SB0937

2SB0937A

2SB0937

2SB0937A

V_CBO

Collector-base voltage

(Emitter open)

−80

1: Base

2: Collector

3: Emitter

V_CEO

−60

Collector-emitter voltage

(Base open)

−80

N-G1 Package

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

−5

Note) Self-supported type package is also prepared.

Collector current

I_C

I_CP

P_C

−2

Internal Connection

Peak collector current

Collector power dissipation

−4

T_a= 25°C

1.3

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

−60

−80

Typ

Max

Unit

2SB0937

V_CEO

I_C= −30 mA, I_B= 0

Collector-emitter voltage

(Base open)

2SB0937A

Base-emitter voltage

V_BE

I_CBO

V_CE= −4 V,I_C= −2 A

V_CB= −60 V,I_E= 0

V_CB= −80 V,I_E= 0

V_CE= −30 V,I_B= 0

V_CE= −40 V,I_B= 0

V_EB= −5 V,I_C= 0

−2.8

−1

2SB0937

2SB0937A

2SB0937

2SB0937A

Collector-base cutoff

current (Emitter open)

−1

I_CEO

−2

Collector-emitter cutoff

current (Base open)

−2

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

I_EBO

h_FE1

−2

V_CE= −4 V, I_C= −1 A

V_CE= −4 V, I_C= −2 A

1000

2000



h_FE2

10 000

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

Turn-on time

V_CE(sat)I_C= −2 A, I_B= −8 mA

−2.5

MHz

µs

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= −10 V, I_C= −0.5 A, f = 1 MHz

0.4

1.5

0.5

I_C= −2 A,

Strage time

I_B1= −8 mA, I_B2= 8 mA

V_CC= −50 V

µs

Fall time

µs

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE1

2000 to 5000 4000 to 10000

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: March 2003

SJD00018BED

12 3

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