2SA2101

更新时间： 2024-01-02 13:05:33

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
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2页	54K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type

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2SA2101 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	TO-220D-A1, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.77
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2SA2101 数据手册

Power Transistors

2SA2101

Silicon PNP epitaxial planar type

Unit: mm

4.6 0.2

Power supply for Audio & Visual equipments

such as TVs and VCRs

9.9 0.3

2.9 0.2

Industrial equipments such as DC-DC converters

φ 3.2 0.1

■ Features

• High-speed switching (t_stg: storage time/t_f: fall time is short)

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• Superior forward current transfer ratio h_FElinearity

• TO-220D built-in: Excellent package with withstand voltage 5 kV

guaranteed

1.4 0.2

1.6 0.2

2.6 0.1

0.8 0.1

0.55 0.15

2.54 0.30

5.08 0.50

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

1: Base

2: Collector

3: Emitter

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

−60

TO-220D-A1 Package

−60

Marking Symbol: A2101

Internal Connection

−6

Collector current

I_C

I_CP

P_C

−2

Peak collector current

−4

T_C= 25°C

T_a= 25°C

Collector power

dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Forward current transfer ratio

I_C= −10 mA, I_B= 0

−60

V_CB= −60 V, I_E= 0

−100

µA



I_CEO

V_CE= −60 V, I_B= 0

h_FE1

V_CE= −4 V, I_C= − 0.2 A

V_CE= −4 V, I_C= −1 A

V_CE= −4 V, I_C= −2 A

h_FE2

250



h_FE3



Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

Turn-on time

V_CE(sat)I_C= −2 A, I_B= − 0.25 A

− 0.6

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= 10 V, I_C= − 0.1 A, f = 10 MHz

100

0.15

0.35

0.06

MHz

µs

I_C= −1 A, Resistance loaded

I_B1= − 0.1 A, I_B2= 0.1 A

V_CC= −50 V

Storage time

µs

Fall time

µs

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: November 2002

SJD00295AED

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA2102	PANASONIC	Silicon PNP epitaxial planar type	获取价格
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