BCR10UM

更新时间： 2024-02-17 20:03:48

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		/
页数	文件大小	规格书
5页	58K
描述
MEDIUM POWER USE INSULATED TYPE, GLASS PASSIVATION TYPE

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BCR10UM 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.42	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN AND PNP
功耗环境最大值：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	130 MHz
VCEsat-Max：	0.3 V	Base Number Matches：	1

BCR10UM 数据手册

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR TRIAC

BCR10UM

MEDIUM POWER USE

INSULATED TYPE, GLASS PASSIVATION TYPE

Dimensions

BCR10UM

OUTLINE DRAWING

in mm

10.2

4.5

1.27

φ3.8 ± 0.2

✽

TYPE

NAME

VOLTAGE

CLASS

1.4

0.8

2.54

0.6

2.6 ± 0.4

➀ ➁➂

✽

Measurement point of

case temperature

➁

¡IT (RMS) ...................................................................... 10A

¡VDRM ..............................................................400V/600V

¡IFGT !, IRGT !, IRGT #........................................... 15mA

¡Viso........................................................................ 1500V

TERMINAL

➀

➁

➂

GATE TERMINAL

➂

➀

TO-220

APPLICATION

Light dimmer

MAXIMUM RATINGS

Voltage class

Symbol

Parameter

Unit

✽1

VDRM

VDSM

Repetitive peak off-state voltage

400

500

600

720

✽1

Non-repetitive peak off-state voltage

Symbol

Parameter

RMS on-state current

Surge on-state current

Conditions

Ratings

Unit

✽3

IT (RMS)

ITSM

Commercial frequency, sine full wave 360° conduction, Tc=93°C

60Hz sinewave 1 full cycle, peak value, non-repetitive

100

Value corresponding to 1 cycle of half wave 60Hz, surge on-state

current

I t

I t for fusing

41.6

A s

PGM

PG (AV)

VGM

IGM

Peak gate power dissipation

Average gate power dissipation

Peak gate voltage

0.5

Peak gate current

Junction temperature

Storage temperature

Weight

–40 ~ +125

2.3

°C

Tstg

—

Typical value

Viso

Isolation voltage

Ta=25°C, AC 1 minute, T1 · T2 · G terminal to case

1500

✽1. Gate open.

Feb.1999

12 3 4 5

下载PDF

与BCR10UM相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BCR10UM12	ETC	TRIAC\|600V V(DRM)\|10A I(T)RMS\|TO-220AB	获取价格
BCR10UM-12	MITSUBISHI	TRIAC, 600V V(DRM), 10A I(T)RMS, TO-220AB, TO-220, 3 PIN	获取价格
BCR10UM8	ETC	TRIAC\|400V V(DRM)\|10A I(T)RMS\|TO-220AB	获取价格
BCR112	INFINEON	NPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, inferface circuit, driver cir	获取价格
BCR112_07	INFINEON	NPN Silicon Digital Transistor	获取价格
BCR112E6327	INFINEON	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon	获取价格