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AS7C513B-20TC - ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION

内存集成电路静态存储器光电二极管
型号:
AS7C513B-20TC
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产品描述:
5V 32K x 16 CMOS SRAM
应用标签:
内存集成电路静态存储器光电二极管
文档页数/大小:
9页 / 215K
品牌Logo:
品牌名称:
ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]

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AS7C513B-20TC

应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管

文档: 9页 / 215K

品牌: ALSC

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是否Rohs认证
不符合
生命周期
Obsolete
IHS 制造商
ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORP
零件包装代码
TSOP2
包装说明
TSOP2, TSOP44,.46,32
针数
44
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
3A991.B.2.B
HTS代码
8542.32.00.41
风险等级
5.8
Is Samacsys
N
最长访问时间
20 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDSO-G44
JESD-609代码
e0
长度
18.415 mm
内存密度
524288 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
16
功能数量
1
端子数量
44
字数
32768 words
字数代码
32000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
32KX16
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP2
封装等效代码
TSOP44,.46,32
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
240
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.2 mm
最大待机电流
0.01 A
最小待机电流
4.5 V
子类别
SRAMs
最大压摆率
0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
0.8 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
30
宽度
10.16 mm
Base Number Matches
1
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下一页
March 2004
AS7C513B
®
5V 32K×16 CMOS SRAM
Features
• Industrial and commercial temperature
• Organization: 32,768 words × 16 bits
• Center power and ground pins
• High speed
• 10/12/15/20 ns address access time
• 5, 6, 7, 8 ns output enable access time
• Low power consumption: ACTIVE
• 605mW / max @ 10 ns
• Low power consumption: STANDBY
• 55 mW / max CMOS I/O
• 6T 0.18u CMOS Technology
• Easy memory expansion with CE, OE inputs
• TTL-compatible, three-state I/O
• 44-pin JEDEC standard package
• 400 mil SOJ
• 400 mil TSOP 2
• ESD protection > 2000 volts
• Latch-up current > 200 mA
Logic block diagram
A0
A2
A3
A4
A5
A6
A7
I/O0–I/O7
I/O8–I/O15
Pin arrangement
V
CC
44-Pin SOJ, TSOP 2 (400 mil)
NC
A3
A2
A1
A0
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
CC
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A14
A13
A12
A11
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A4
A5
A6
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
V
CC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A7
A8
A9
A10
NC
Row decoder
A1
32K × 16
Array
GND
I/O
buffer
Control circuit
Column decoder
A8
A9
A10
A12
A13
A14
A11
WE
UB
OE
LB
CE
Selection guide
-10
Maximum address access time
Maximum output enable access time
Maximum operating current
Maximum CMOS standby current
-12
12
6
100
10
-15
15
7
90
10
AS7C513B
-20
20
8
80
10
Unit
ns
ns
mA
mA
10
5
110
10
3/26/04, v.1.3
Alliance Semiconductor
P. 1 of 9
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