5秒后页面跳转
AS7C513B-20TC PDF预览

AS7C513B-20TC

更新时间: 2024-02-25 04:46:20
品牌 Logo 应用领域
ALSC 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 215K
描述
5V 32K x 16 CMOS SRAM

AS7C513B-20TC 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSOP44,.46,32
针数:44Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.BHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.8Is Samacsys:N
最长访问时间:20 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G44JESD-609代码:e0
长度:18.415 mm内存密度:524288 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:44
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:32KX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSOP44,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):240
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大待机电流:0.01 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.08 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

AS7C513B-20TC 数据手册

 浏览型号AS7C513B-20TC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AS7C513B-20TC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AS7C513B-20TC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AS7C513B-20TC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AS7C513B-20TC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AS7C513B-20TC的Datasheet PDF文件第7页 
March 2004  
AS7C513B  
®
5V 32K×16 CMOS SRAM  
Features  
• Industrial and commercial temperature  
• Organization: 32,768 words × 16 bits  
• Center power and ground pins  
• High speed  
• Easy memory expansion with CE, OE inputs  
• TTL-compatible, three-state I/O  
• 44-pin JEDEC standard package  
• 400 mil SOJ  
• 10/12/15/20 ns address access time  
• 5, 6, 7, 8 ns output enable access time  
• Low power consumption: ACTIVE  
• 605mW / max @ 10 ns  
• 400 mil TSOP 2  
• ESD protection > 2000 volts  
• Latch-up current > 200 mA  
• Low power consumption: STANDBY  
• 55 mW / max CMOS I/O  
• 6T 0.18u CMOS Technology  
Logic block diagram  
Pin arrangement  
A0  
A1  
A2  
44-Pin SOJ, TSOP 2 (400 mil)  
V
CC  
32K × 16  
Array  
GND  
NC  
A3  
A2  
A1  
A0  
CE  
1
2
3
4
5
6
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
A4  
A5  
A6  
OE  
UB  
LB  
A3  
A4  
A5  
A6  
A7  
I/O0  
7
8
9
I/O15  
I/O14  
I/O13  
I/O12  
GND  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
I/O0–I/O7  
I/O8–I/O15  
I/O  
buffer  
Control circuit  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
V
CC  
GND  
I/O4  
I/O5  
I/O6  
I/O7  
WE  
A14  
A13  
A12  
A11  
NC  
V
CC  
Column decoder  
I/O11  
I/O10  
I/O9  
I/O8  
NC  
A7  
A8  
A9  
A10  
NC  
WE  
UB  
OE  
LB  
CE  
Selection guide  
-10  
-12  
12  
6
-15  
-20  
Unit  
ns  
Maximum address access time  
Maximum output enable access time  
Maximum operating current  
10  
5
15  
7
20  
8
ns  
110  
10  
100  
10  
90  
10  
80  
10  
mA  
mA  
Maximum CMOS standby current  
3/26/04, v.1.3  
Alliance Semiconductor  
P. 1 of 9  
Copyright © Alliance Semiconductor. All rights reserved.  

与AS7C513B-20TC相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
AS7C513B-20TI ALSC 5V 32K x 16 CMOS SRAM

获取价格

AS7C513C ALSC 5 V 32K X 16 CMOS SRAM

获取价格

AS7E128K32ECJ-12M MICROSS EEPROM Module, 512KX8, 120ns, Parallel, CMOS

获取价格

AS7E128K32ECJ-15M MICROSS EEPROM Module, 512KX8, 150ns, Parallel, CMOS

获取价格

AS7E128K32ECJ-20M MICROSS EEPROM Module, 512KX8, 200ns, Parallel, CMOS

获取价格

AS7E128K32F-12M MICROSS EEPROM Module, 512KX8, 120ns, Parallel, CMOS

获取价格