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9P035YFLF-T

更新时间： 2024-02-15 04:53:16
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 驱动光电二极管逻辑集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 191K
描述
PLL Based Clock Driver, 9P Series, 6 True Output(s), 0 Inverted Output(s), PDSO8, 0.209 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-150, SSOP-8

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9P035YFLF-T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SSOP
包装说明：SSOP,针数：8
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.77系列：9P
输入调节：STANDARDJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：10.2 mm
逻辑集成电路类型：PLL BASED CLOCK DRIVER功能数量：1
反相输出次数：端子数量：8
实输出次数：6最高工作温度：70 °C
最低工作温度：输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SSOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
Same Edge Skew-Max（tskwd）：0.04 ns座面最大高度：2 mm
最大供电电压 (Vsup)：1.9 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
温度等级：COMMERCIAL端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：5.3 mmBase Number Matches：1

9P035YFLF-T 数据手册

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ICS9P935  
DDR I/DDR II Phase Lock Loop Zero Delay Buffer  
Absolute Max  
Supply Voltage  
-0.5V to 2.7V  
Logic Inputs  
GND –0.5 V to VDD +0.5 V  
0°C to +70°C  
115°C  
Ambient Operating Temperature  
Case Temperature  
Storage Temperature  
–65°C to +150°C  
Stresses above those listed under Absolute Maximum Ratings may cause permanent damage to the device. These ratings are  
stress specifications only and functional operation of the device at these or any other conditions above those listed in the  
operational sections of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods  
may affect product reliability.  
Electrical Characteristics - Input/Supply/Common Output Parameters  
TA = 0 - 70°C; Supply Voltage AVDD, VDD = 1.8 V +/- 0.1V (unless otherwise stated)  
PARAMETER  
Input High Current  
Input Low Current  
Output Disabled Low  
Current  
SYMBOL  
CONDITIONS  
VI = VDD or GND  
MIN  
TYP  
MAX  
250  
10  
UNITS  
µA  
IIH  
IIL  
VI = VDD or GND  
µA  
IODL  
OE = L, VODL = 100mV  
100  
µA  
Operating Supply  
Current  
IDD1.8 CL = 0pf @ 100MHz  
IDDLD CL = 0pf  
300  
500  
-1.2  
mA  
µA  
Input Clamp Voltage  
VIK  
VDDQ = 1.8V Iin = -18mA  
V
V
High-level output  
voltage  
I
I
OH = -100µA  
OH = -9mA  
VDD -0.2  
1.1  
VOH  
V
IOL=100µA  
0.1  
0.6  
3
V
Low-level output voltage  
VOL  
IOL=9mA  
V
Input Capacitance1  
Output Capacitance1  
CIN  
VI = GND or VDD  
VOUT = GND or VDD  
2
2
pF  
pF  
COUT  
3
IDTTM/ICSTM DDR I/DDR II Phase Lock Loop Zero Delay Buffer  
ICS9P935  
REV H 12/1/08  
3
1234567...13

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