9N90G-TF1-T

更新时间： 2024-02-06 22:16:07

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900V N-CHANNEL MOSFET

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9N90G-TF1-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	900 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	900 V
最大漏极电流 (ID)：	9 A	最大漏源导通电阻：	1.4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	36 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

9N90G-TF1-T 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

9N90

Power MOSFET

900V N-CHANNEL MOSFET

DESCRIPTION

The UTC 9N90 uses UTC’s advanced proprietary, planar

TO-247

stripe, DMOS technology to provide excellent R_DS(ON), low gate

charge and operation with low gate voltages. This device is suitable

for use as a load switch or in PWM applications.

FEATURES

* RDS(ON) = 1.4Ω @VGS = 10 V

* Ultra Low Gate Charge ( Typical 45 nC )

* Low Reverse Transfer Capacitance ( CRSS = Typical 14 pF )

* Fast Switching Capability

TO-3P

* Avalanche Energy Specified

* Improved dv/dt Capability, High Ruggedness

SYMBOL

2.Drain

1.Gate

TO-220F1

3.Source

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

Packing

Lead Free

9N90L-T47-T

9N90L-T3P-T

9N90L-TF1-T

Halogen Free

9N90G-T47-T

9N90G-T3P-T

9N90G-TF1-T

TO-247

TO-3P

Tube

TO-220F1

www.unisonic.com.tw

1 of 6

QW-R502-217.E

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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9N90-H	UTC	获取价格	N-CH
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