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93LC56AB

更新时间： 2024-02-29 07:40:12
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美国微芯 - MICROCHIP 微波可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
12页 163K
描述
2K 2.5V Microwave Serial EEPROM

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93LC56AB 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SOIC
包装说明：0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8针数：8
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.17
Is Samacsys：N其他特性：100K ERASE/WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION > 40 YEARS
备用内存宽度：8最大时钟频率 (fCLK)：2 MHz
数据保留时间-最小值：200耐久性：10000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：4.9 mm内存密度：2048 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：16
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：8字数：128 words
字数代码：128工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128X16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
串行总线类型：MICROWIRE最大待机电流：0.00003 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)：10 ms写保护：SOFTWARE
Base Number Matches：1

93LC56AB 数据手册

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93LC56A/B  
3.6  
ERASE/WRITE Disable and Enable  
(EWDS/EWEN)  
3.7  
READ  
The READ instruction outputs the serial data of the  
addressed memory location on the DO pin. A dummy  
zero bit precedes the 8-bit (93LC56A) or 16-bit  
(93LC56B) output string.The output data bits will toggle  
on the rising edge of the CLK and are stable after the  
specified time delay (TPD). Sequential read is possible  
when CS is held high. The memory data will automati-  
cally cycle to the next register and output sequentially.  
The 93LC56A/B powers up in the ERASE/WRITE  
Disable (EWDS) state. All programming modes must  
be preceded by an ERASE/WRITE Enable (EWEN)  
instruction. Once the EWEN instruction is executed,  
programming remains enabled until an EWDS instruc-  
tion is executed or VCC is removed from the device. To  
protect against accidental data disturbance, the EWDS  
instruction can be used to disable all ERASE/WRITE  
functions and should follow all programming opera-  
tions. Execution of a READ instruction is independent  
of both the EWDS and EWEN instructions.  
FIGURE 3-4: EWDS TIMING  
TCSL  
CS  
CLK  
•••  
X
1
0
0
0
0
X
DI  
FIGURE 3-5: EWEN TIMING  
TCSL  
CS  
CLK  
•••  
1
0
0
1
1
X
X
DI  
FIGURE 3-6: READ TIMING  
CS  
CLK  
•••  
A0  
0
DI  
An  
1
1
0
HIGH-Z  
DO  
Dx  
D0  
Dx  
D0  
Dx  
D0  
•••  
•••  
•••  
DS21208A-page 6  
Preliminary  
1997 Microchip Technology Inc.  
1...3456789...12

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