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93LC56AB

更新时间： 2024-01-15 01:16:43
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美国微芯 - MICROCHIP 微波可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
12页 163K
描述
2K 2.5V Microwave Serial EEPROM

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93LC56AB 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SOIC
包装说明：0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8针数：8
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.17
Is Samacsys：N其他特性：100K ERASE/WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION > 40 YEARS
备用内存宽度：8最大时钟频率 (fCLK)：2 MHz
数据保留时间-最小值：200耐久性：10000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：4.9 mm内存密度：2048 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：16
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：8字数：128 words
字数代码：128工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128X16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
串行总线类型：MICROWIRE最大待机电流：0.00003 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)：10 ms写保护：SOFTWARE
Base Number Matches：1

93LC56AB 数据手册

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93LC56A/B  
3.4  
ERASE  
3.5  
Erase All (ERAL)  
The ERASE instruction forces all data bits of the spec-  
ified address to the logical “1” state. CS is brought low  
following the loading of the last address bit. This falling  
edge of the CS pin initiates the self-timed programming  
cycle.  
The ERAL instruction will erase the entire memory  
array to the logical “1” state.The ERAL cycle is identical  
to the ERASE cycle except for the different opcode.The  
ERAL cycle is completely self-timed and commences at  
the falling edge of the CS. Clocking of the CLK pin is not  
necessary after the device has entered the ERAL cycle.  
The DO pin indicates the READY/BUSY status of the  
device if CS is brought high after a minimum of 250 ns  
low (TCSL). DO at logical “0” indicates that program-  
ming is still in progress. DO at logical “1” indicates that  
the register at the specified address has been erased  
and the device is ready for another instruction.  
The DO pin indicates the READY/BUSY status of the  
device if CS is brought high after a minimum of 250 ns  
low (TCSL) and before the entire ERAL cycle is com-  
plete.  
FIGURE 3-2: ERASE TIMING  
TCSL  
CS  
CHECK STATUS  
CLK  
1
1
AN  
AN-1 AN-2  
A0  
•••  
DI  
1
TSV  
TCZ  
HIGH-Z  
BUSY  
READY  
DO  
HIGH-Z  
TWC  
FIGURE 3-3: ERAL TIMING  
TCSL  
CS  
CHECK STATUS  
CLK  
1
0
0
1
0
X
X
DI  
•••  
TSV  
TCZ  
HIGH-Z  
BUSY  
READY  
DO  
HIGH-Z  
TEC  
Guaranteed at Vcc = 4.5V to +6.0V.  
1997 Microchip Technology Inc.  
Preliminary  
DS21208A-page 5  
12345678...12

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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